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• Littelfuse Inc.
  IGBT 1200V 80A 500W PKG S
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 80A 500W Chassis Mount S3
  
  型号：MG1250S-BA1MM
  仓库库存编号：F6494-ND
  别名：F6494
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 400A SOT227
  详细描述：IGBT Module Single 600V 400A 961W Chassis Mount SOT-227
  
  型号：VS-GA250SA60S
  仓库库存编号：VS-GA250SA60SGI-ND
  别名：VS-GA250SA60SGI
  VSGA250SA60S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IC BRIDGE 3PH 160A 1600V MTK
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 160A Chassis Mount MT-K
  
  型号：VS-160MT160KPBF
  仓库库存编号：VS-160MT160KPBF-ND
  别名：VS160MT160KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5
  详细描述：IGBT 4000V 90A 380W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXEL40N400
  仓库库存编号：IXEL40N400-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） 520W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C2M0045170D
  仓库库存编号：C2M0045170D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
  详细描述：底座安装 N 沟道 1220A（Tc） Y3-Li
  
  型号：VMO1200-01F
  仓库库存编号：VMO1200-01F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 150A 1250W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM50AM24SG
  仓库库存编号：APTM50AM24SG-ND
  别名：APTM50AM24SGMI
  APTM50AM24SGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 1100A 2900W Chassis Mount D4
  
  型号：APTGT600U170D4G
  仓库库存编号：APTGT600U170D4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 55A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTMC120AM55CT1AG
  仓库库存编号：APTMC120AM55CT1AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 29.5A 167W Chassis Mount Module
  
  型号：CCS020M12CM2
  仓库库存编号：CCS020M12CM2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 193A 925W Chassis Mount Module
  
  型号：CAS120M12BM2
  仓库库存编号：CAS120M12BM2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A 780W Module
  
  型号：BSM120D12P2C005
  仓库库存编号：BSM120D12P2C005-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A 1875W Chassis Mount Module
  
  型号：BSM300D12P2E001
  仓库库存编号：BSM300D12P2E001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 50MA TO-236AB
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  
  型号：BFU550AR
  仓库库存编号：568-11514-1-ND
  别名：568-11514-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 30MA 6TSSOP
  详细描述：RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：BFU520YX
  仓库库存编号：568-11508-1-ND
  别名：568-11508-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 600V 4A DPAK
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 4A Surface Mount D-Pak
  
  型号：T435-600B-TR
  仓库库存编号：497-2513-1-ND
  别名：497-2513-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 200MA SOT223-4
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 200mA 8.5GHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：BFU590GX
  仓库库存编号：568-11521-1-ND
  别名：568-11521-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2035
  仓库库存编号：917-1099-1-ND
  别名：917-1099-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 270mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：MIC94053YC6-TR
  仓库库存编号：576-2939-1-ND
  别名：576-2939-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 8A Surface Mount D-Pak
  
  型号：T810-600B-TR
  仓库库存编号：497-6596-1-ND
  别名：497-6596-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 模具
  
  型号：EPC2038
  仓库库存编号：917-1138-1-ND
  别名：917-1138-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta）
  
  型号：EPC2037
  仓库库存编号：917-1137-1-ND
  别名：917-1137-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 100V BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2037ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2037ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2037ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 15V BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2040ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2040ENGRCT-ND
  别名：917-1139-1
  917-1139-1-ND
  917-EPC2040ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
  
  型号：EPC2106ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2106ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2106ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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