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• STMicroelectronics
  TRIAC 800V 16A TO220AB
  详细描述：TRIAC Standard 800V 16A Through Hole TO-220AB Insulated
  
  型号：T1625T-8I
  仓库库存编号：497-12875-5-ND
  别名：497-12875-5
  T1625T8I
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 600V 12A D2PAK
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 12A Surface Mount D2PAK
  
  型号：T1250H-6G-TR
  仓库库存编号：497-8059-1-ND
  别名：497-8059-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 600V 8A D2PAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 8A Surface Mount D2PAK
  
  型号：T810H-6G-TR
  仓库库存编号：497-9013-1-ND
  别名：497-9013-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 15A TO247-3
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1200V 30A 156W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IHW15N120E1XKSA1
  仓库库存编号：IHW15N120E1XKSA1-ND
  别名：SP001391908
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 16A Through Hole TO-220AB
  
  型号：T1635H-6T
  仓库库存编号：497-7635-5-ND
  别名：497-7635-5
  T1635H-6T-ND
  T1635H6T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC 800V 10A TO-220FPAB
  详细描述：TRIAC Standard Through Hole TO-220FPAB
  
  型号：ACST1035-8FP
  仓库库存编号：497-15106-5-ND
  别名：497-15106-5
  ACST1035-8FP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 600V 16A D2PAK
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 16A Surface Mount D2PAK
  
  型号：T1635H-6G-TR
  仓库库存编号：497-8060-1-ND
  别名：497-8060-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 600V 30A D2PAK
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 30A Surface Mount D2PAK
  
  型号：T3050H-6G-TR
  仓库库存编号：497-17289-1-ND
  别名：497-17289-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.7A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA80R310CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R310CEXKSA2-ND
  别名：SP001313398
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2024ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2024ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 50A QC Terminal MSD
  
  型号：MSD50-12
  仓库库存编号：MSD50-12-ND
  别名：MSD5012
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE BRIDGE 3PH 800V 50A SM1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 50A QC Terminal MSD
  
  型号：MSD50-08
  仓库库存编号：MSD50-08-ND
  别名：MSD5008
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM2
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 50A Chassis Mount SM2
  
  型号：MSD52-12
  仓库库存编号：MSD52-12-ND
  别名：MSD5212
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD RECT BRIDGE 3PH M2-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 100A Chassis Mount M2-1
  
  型号：MSDM100-16
  仓库库存编号：MSDM100-16-ND
  别名：MSDM10016
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE BRIDGE 1600V 130A SM3
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 130A Chassis Mount M3
  
  型号：MSD130-16
  仓库库存编号：MSD130-16-ND
  别名：MSD130-16MP
  MSD130-16MP-ND
  MSD13016
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE 3PH 1800V 160A M3
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 160A Chassis Mount M3
  
  型号：MSD160-18
  仓库库存编号：MSD160-18-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD RECT BRIDGE 3PH M3-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 200A Chassis Mount M3-1
  
  型号：MSDM200-16
  仓库库存编号：MSDM200-16-ND
  别名：MSDM20016
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 600V 100A 250W PKG S
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount S3
  
  型号：MG0675S-BN4MM
  仓库库存编号：F6489-ND
  别名：F6489
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 600V 125A 330W PKG S
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 125A 330W Chassis Mount S3
  
  型号：MG06100S-BN4MM
  仓库库存编号：F6491-ND
  别名：F6491
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 600V 150A 625W PKG S
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 150A 625W Chassis Mount S3
  
  型号：MG06100S-BR1MM
  仓库库存编号：F6490-ND
  别名：F6490
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 1200V 150A 690W PKG S
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 690W Chassis Mount S3
  
  型号：MG12105S-BA1MM
  仓库库存编号：F6497-ND
  别名：F6497
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
  详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM45BC1G
  仓库库存编号：APTC60AM45BC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTCV60HM45BT3G
  仓库库存编号：APTCV60HM45BT3G-ND
  
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  IGBT 1200V 160A 1000W PKG D
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 160A 1000W Chassis Mount D3
  
  型号：MG12100D-BA1MM
  仓库库存编号：F6479-ND
  别名：F6479
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTCV60HM45BC20T3G
  仓库库存编号：APTCV60HM45BC20T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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