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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1A（Ta） 1W（Ta），38W（Tc） DPAK/TP-FA
  
  型号：SFT1458-TL-H
  仓库库存编号：SFT1458-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 100mA（Ta） 150mW（Ta） 3-MCP
  
  型号：5HN01M-TL-E
  仓库库存编号：5HN01M-TL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 70mA（Ta） 150mW（Ta） 3-MCP
  
  型号：5HP01M-TL-E
  仓库库存编号：5HP01M-TL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 350mA（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3461-TL-H
  仓库库存编号：CPH3461-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 50V 140mA 800mW Surface Mount 6-MCPH
  
  型号：MCH6605-TL-E
  仓库库存编号：MCH6605-TL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW
  
  型号：NE85633-A
  仓库库存编号：NE85633-A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-143
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount
  
  型号：NE68039-T1-R46-A
  仓库库存编号：NE68039-T1-R46-A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  TRANS NPN 50V 0.15A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59
  
  型号：2SC3624-T1B-A
  仓库库存编号：2SC3624-T1B-A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Ta） 120W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1518-E
  仓库库存编号：2SK1518-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3430-AZ
  仓库库存编号：2SK3430-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3430-Z-E1-AZ
  仓库库存编号：2SK3430-Z-E1-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 83A（Tc） 1.5W（Ta），100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3431-AZ
  仓库库存编号：2SK3431-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 83A（Tc） 1.5W（Ta），100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3431-Z-E1-AZ
  仓库库存编号：2SK3431-Z-E1-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：H7N1002LS-E
  仓库库存编号：H7N1002LS-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：H7N1002LSTL-E
  仓库库存编号：H7N1002LSTL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 900mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：HAT2131R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2131R-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：HAT2287WP-EL-E
  仓库库存编号：HAT2287WP-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Ta） 25W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：HAT2299WP-EL-E
  仓库库存编号：HAT2299WP-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 5A
  详细描述：IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
  
  型号：RJH60A01RDPD-A0#J2
  仓库库存编号：RJH60A01RDPD-A0#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 5A
  详细描述：IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
  
  型号：RJH60A81RDPD-A0#J2
  仓库库存编号：RJH60A81RDPD-A0#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 10A
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 51W Surface Mount TO-252
  
  型号：RJH60A83RDPD-A0#J2
  仓库库存编号：RJH60A83RDPD-A0#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 10A
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 30W Through Hole TO-220FP
  
  型号：RJH60D1DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJH60D1DPP-E0#T2-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RJK0349DSP-01#J0
  仓库库存编号：RJK0349DSP-01#J0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RJK0355DSP-01#J0
  仓库库存编号：RJK0355DSP-01#J0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK5002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK5002DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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