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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL5012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL5012DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 30W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJL5012DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJL5012DPP-M0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL5014DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL5014DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 38A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 38A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL5020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL5020DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL6012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL6012DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL6013DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL6013DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6018DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6020DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 2.3W Surface Mount 6-HUSON (2x2)
  
  型号：UPA2670T1R-E2-AX
  仓库库存编号：UPA2670T1R-E2-AX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 2.3W Surface Mount 6-HUSON (2x2)
  
  型号：UPA2672T1R-E2-AX
  仓库库存编号：UPA2672T1R-E2-AX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 16A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2735GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2735GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2736GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2736GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2738GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2738GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN DARL 32V 0.3A SPT
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 32V 300mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
  
  型号：2SC2062STPC
  仓库库存编号：2SC2062STPCCT-ND
  别名：2SC2062STPCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  TRANS 4PNP 60V 3A 10-SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 3A 4W Through Hole 10-SIP
  
  型号：STA421A
  仓库库存编号：STA421A-ND
  别名：STA421A DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
  
  型号：HN4K03JUTE85LF
  仓库库存编号：HN4K03JUTE85LFCT-ND
  别名：HN4K03JUTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3J14TTE85LF
  仓库库存编号：SSM3J14TTE85LFCT-ND
  别名：SSM3J14TTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N16FUTE85LF
  仓库库存编号：SSM6N16FUTE85LFCT-ND
  别名：SSM6N16FUTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 50V 0.1A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：2SA2154CT-Y(TPL3)
  仓库库存编号：2SA2154CT-Y(TPL3)CT-ND
  别名：2SA2154CT-Y(TPL3)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSM
  
  型号：2SK2035(T5L,F,T)
  仓库库存编号：2SK2035(T5LFT)CT-ND
  别名：2SK2035(T5LFT)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：HN3A51F(TE85L,F)
  仓库库存编号：HN3A51F(TE85LF)CT-ND
  别名：HN3A51F(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：HN3C51F-BL(TE85L,F
  仓库库存编号：HN3C51F-BL(TE85LFCT-ND
  别名：HN3C51F-BL(TE85LF)CT
  HN3C51F-BL(TE85LF)CT-ND
  HN3C51F-BL(TE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：HN3C51F-GR(TE85L,F
  仓库库存编号：HN3C51F-GR(TE85LFCT-ND
  别名：HN3C51F-GR(TE85LF)CT
  HN3C51F-GR(TE85LF)CT-ND
  HN3C51F-GR(TE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
  
  型号：HN4A06J(TE85L,F)
  仓库库存编号：HN4A06J(TE85LF)CT-ND
  别名：HN4A06J(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 900mW Surface Mount UFM
  
  型号：MT3S20TU(TE85L)
  仓库库存编号：MT3S20TU(TE85L)CT-ND
  别名：MT3S20TU(TE85L)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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