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• Renesas Electronics America
  IGBT 1100V 55A 227.2W TO247
  详细描述：IGBT 1100V 55A 227.2W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1BF6RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1BF6RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 40A 156.2W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1CF4RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF4RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 50A 192.3W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 50A 192.3W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1CF5RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF5RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 30A 245W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 30A 245W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1CM5DPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH1CM5DPQ-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 70A 320W TO247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1CV7DPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH1CV7DPQ-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 110A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 110A（Ta） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0601DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0601DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 25A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0658DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0658DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 30A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 55W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0659DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0659DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 40A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Ta） 65W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0660DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0660DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 40A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK2006DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK2006DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2057DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2057DPA-00#J0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 65A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK2511DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK2511DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2555DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2555DPA-00#J0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2557DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2557DPA-00#J0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 400V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Ta） 20W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJK4002DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJK4002DPP-M0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 8A（Ta） 65W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK4006DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK4006DPD-00#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 8A（Ta） 29W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJK4006DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJK4006DPP-M0#T2-ND
  
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  MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 7.6A（Ta） 32W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJK4007DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJK4007DPP-M0#T2-ND
  
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  MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 17A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK4013DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK4013DPE-00#J3-ND
  
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  MOSFET N-CH 400V 43A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 43A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK4018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK4018DPK-00#T0-ND
  
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  MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 14A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK4512DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK4512DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 22A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK4514DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK4514DPK-00#T0-ND
  
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  MOSFET N-CH 450V 39A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 39A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK4518DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK4518DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK5012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK5012DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK5012DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5012DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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