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• Microsemi Corporation
  TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
  
  型号：SG2003J-JAN
  仓库库存编号：1259-1082-ND
  别名：1259-1082
  1259-1082-MIL
  M38510/14103BEA
  Q9387418
  SG2003JJAN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
  
  型号：SG2023J-DESC
  仓库库存编号：1259-1083-ND
  别名：1259-1083
  1259-1083-MIL
  5962-8987601EA
  SG2023JDESC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
  
  型号：SG2823J
  仓库库存编号：SG2823J-ND
  别名：1259-1086
  1259-1086-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
  
  型号：SG2823J-883B
  仓库库存编号：1259-1087-ND
  别名：1259-1087
  1259-1087-MIL
  SG2823J883B
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
  
  型号：SG2823J-DESC
  仓库库存编号：1259-1088-ND
  别名：1259-1088
  1259-1088-MIL
  5962-8968501VA
  SG2823JDESC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE85633-T1B-R23-A
  仓库库存编号：NE85633-T1B-R23-A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-89
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89
  
  型号：NE85634-T1-RE-A
  仓库库存编号：NE85634-T1-RE-A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE85633-R23-A
  仓库库存编号：NE85633-R23-A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 40A 178.5W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F3DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F3DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F3DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 60A 235.8W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F4DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F4DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F4DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 25A 63W LDPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 25A 63W Surface Mount 4-LDPAK
  
  型号：RJH60D2DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJH60D2DPE-00#J3CT-ND
  别名：RJH60D2DPE-00#J3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 45W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJP60F5DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJP60F5DPM-00#T1-ND
  别名：RJP60F5DPM00T1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
  详细描述：IGBT 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJP60D0DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJP60D0DPM-00#T1-ND
  别名：RJP60D0DPM00T1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 50A 122W LDPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 50A 122W Surface Mount 4-LDPAK
  
  型号：RJP60F0DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJP60F0DPE-00#J3-ND
  别名：RJP60F0DPE00J3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
  详细描述：IGBT Trench 600V 16A 30W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60V1BDPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60V1BDPP-M0#T2-ND
  别名：RJH60V1BDPPM0T2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 30A 113W LDPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 30A 113W Surface Mount 4-LDPAK
  
  型号：RJH60A85RDPE-00#J3
  仓库库存编号：RJH60A85RDPE-00#J3CT-ND
  别名：RJH60A85RDPE-00#J3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 25A 33.8W TO-220FL
  详细描述：IGBT Trench 600V 25A 33.8W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60M2DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60M2DPP-M0#T2-ND
  别名：RJH60M2DPPM0T2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 35A 39.7W TO-220FL
  详细描述：IGBT Trench 600V 35A 39.7W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60M3DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60M3DPP-M0#T2-ND
  别名：RJH60M3DPPM0T2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 50A 201.6W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F0DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F0DPQ-A0#T0-ND
  别名：RJH60F0DPQA0T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F5BDPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F5BDPQ-A0#T0-ND
  别名：RJH60F5BDPQA0T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 50W TO-3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 50W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJH60D6DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJH60D6DPM-00#T1-ND
  别名：RJH60D6DPM00T1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 88A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 88A（Tc） 140W（Tc） TO-220
  
  型号：TK42E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK42E12N1S1X-ND
  别名：TK42E12N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W5,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60W5S4VX-ND
  别名：TK16A60W5S4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 130A（Tc） 1.5W（Ta），83W（Tc） 8-HVSON（5.4x5.15）
  
  型号：UPA2766T1A-E2-AY
  仓库库存编号：UPA2766T1A-E2-AYCT-ND
  别名：UPA2766T1A-E2-AYCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY 15V 350MA SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 15V 350mA 250mW SOT-23-3
  
  型号：HSMS-2702-TR1G
  仓库库存编号：516-2841-1-ND
  别名：516-2841-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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