产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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分立半导体产品
分立半导体产品
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A SCH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.5A(Ta) 1W(Ta) 6-SCH
型号:
SCH1343-TL-H
仓库库存编号:
SCH1343-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
详细描述:JFET N-Channel 1mA 100mW Surface Mount VTFP
型号:
TF208TH-4-TL-H
仓库库存编号:
TF208TH-4-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
详细描述:JFET N-Channel 1mA 100mW Surface Mount VTFP
型号:
TF208TH-5-TL-H
仓库库存编号:
TF208TH-5-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
详细描述:JFET N-Channel 1mA 100mW Surface Mount VTFP
型号:
TF256TH-3-TL-H
仓库库存编号:
TF256TH-3-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 10A 600V SIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.7A Through Hole
型号:
DBA100G
仓库库存编号:
DBA100G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 10A 600V SIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.7A Through Hole
型号:
DBA100G-K15
仓库库存编号:
DBA100G-K15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 15A 600V SIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 4.5A Through Hole
型号:
DBA150G
仓库库存编号:
DBA150G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 2A 600V SIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole
型号:
DBA20G
仓库库存编号:
DBA20G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 2A 600V SIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole
型号:
DBA20G-K15
仓库库存编号:
DBA20G-K15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 25A 600V 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole
型号:
DBA250G
仓库库存编号:
DBA250G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 4A 600V 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 2.6A Through Hole
型号:
DBA40G
仓库库存编号:
DBA40G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 4A 600V 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 2.6A Through Hole
型号:
DBA40G-K15
仓库库存编号:
DBA40G-K15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 4A 600V 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 2.6A Through Hole
型号:
DBA40G-K20
仓库库存编号:
DBA40G-K20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
DIODE BRIDGE 1PH 50A 600V 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Through Hole
型号:
DBA500G
仓库库存编号:
DBA500G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.3A(Tc) 2W(Ta),28W(Tc) TO-220-3
型号:
2SK4197FS
仓库库存编号:
2SK4197FS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220-3
型号:
2SK4198FS
仓库库存编号:
2SK4198FS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
详细描述:RF Transistor NPN 5.5V 100mA 4.5GHz 140mW Surface Mount M13
型号:
NE851M13-T3-A
仓库库存编号:
NE851M13-T3-ACT-ND
别名:NE851M13-T3-ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
详细描述:RF Transistor NPN 15V 250mA 2W Surface Mount SOT-89
型号:
NE461M02-T1-AZ
仓库库存编号:
NE461M02-T1-AZCT-ND
别名:NE461M02-T1-AZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
详细描述:RF Transistor NPN 3.3V 35mA 25GHz 115mW Surface Mount SOT-343F
型号:
NE662M04-T2-A
仓库库存编号:
NE662M04-T2-ACT-ND
别名:NE662M04-T2-ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
详细描述:RF Transistor NPN 6V 100mA 12GHz 205mW Surface Mount SOT-343F
型号:
NE678M04-T2-A
仓库库存编号:
NE678M04-T2-ACT-ND
别名:NE678M04-T2-ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-143
详细描述:RF Transistor NPN 12V 100mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-143
型号:
NE85639-T1-A
仓库库存编号:
NE85639-T1-ACT-ND
别名:NE85639-T1-ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
TRANS NPN 2GHZ SOT-343
详细描述:RF Transistor NPN 2.3V 35mA 60GHz 80mW Surface Mount M04
型号:
NESG2030M04-T2-A
仓库库存编号:
NESG2030M04-T2-ACT-ND
别名:NESG2030M04-T2-ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
TRANS NPN 460MHZ SOT-89
详细描述:RF Transistor NPN 9.2V 600mA 1.9W Surface Mount 3-PowerMiniMold
型号:
NESG260234-T1-AZ
仓库库存编号:
NESG260234-T1-AZCT-ND
别名:NESG260234-T1-AZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2003J
仓库库存编号:
SG2003J-ND
别名:1259-1080
1259-1080-MIL
1259-1080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号:
SG2003J-883B
仓库库存编号:
1259-1081-ND
别名:1259-1081
1259-1081-MIL
Q10386303
SG2003J883B
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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