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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8009,LQ(O
  仓库库存编号：TPCC8009LQ(O-ND
  别名：TPCC8009LQ(O
  TPCC8009LQO
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8065-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8065-HLQ(S
  TPCC8065HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 700mW（Ta），17W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8066-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8066-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8066-HLQ(S
  TPCC8066HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 700mW（Ta），15W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8067-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8067-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8067-HLQ(S
  TPCC8067HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500mW Surface Mount 4-Chip LGA
  
  型号：TPCL4201(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPCL4201(TE85LF)-ND
  别名：TPCL4201(TE85LF)
  TPCL4201TE85LF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500mW Surface Mount 4-Chip LGA
  
  型号：TPCL4202(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPCL4202(TE85LF)-ND
  别名：TPCL4202(TE85LF)
  TPCL4202TE85LF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500mW Surface Mount 4-Chip LGA
  
  型号：TPCL4203(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPCL4203(TE85LF)-ND
  别名：TPCL4203(TE85LF)
  TPCL4203TE85LF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1100V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT 1100V 60A 250W Through Hole TO-247-3
  
  型号：RJH1BF7RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1BF7RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 55A 227.2W Through Hole TO-247-3
  
  型号：RJH1CF6RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF6RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 60A 250W Through Hole TO-247-3
  
  型号：RJH1CF7RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF7RDPQ-80#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 45A 140W TO3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 45A 140W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D0DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D0DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 45A 40W TO3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJH60D0DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJH60D0DPM-00#T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 30W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60D1DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60D1DPP-M0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 75A 200W TO3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 75A 200W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D5DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 75A 45W TO3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 75A 45W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJH60D5DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJH60D5DPM-00#T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260W TO3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D6DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D6DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 55W TO3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 90A 55W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJH60D7DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJH60D7DPM-00#T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 80A 260.4W TO247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F5DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F5DPQ-A0#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 20A（Tc） 1W（Ta），36W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：2SJ687-ZK-E1-AY
  仓库库存编号：2SJ687-ZK-E1-AYCT-ND
  别名：2SJ687-ZK-E1-AYCT
  2SJ687ZKE1AY
  
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  MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 1.5W（Ta），213W（Tc） TO-263
  
  型号：2SK3811-ZP-E1-AY
  仓库库存编号：2SK3811-ZP-E1-AYCT-ND
  别名：2SK3811-ZP-E1-AYCT
  2SK3811ZPE1AY
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 1.5W（Ta），104W（Tc） TO-263
  
  型号：2SK3943-ZP-E1-AY
  仓库库存编号：2SK3943-ZP-E1-AYCT-ND
  别名：2SK3943-ZP-E1-AYCT
  2SK3943ZPE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK03C1DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK03C1DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK03C1DPB-00#J5CT
  RJK03C1DPB00J5
  
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  MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 45A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0452DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0452DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0452DPB-00#J5CT
  RJK0452DPB00J5
  
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  MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0454DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0454DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0454DPB-00#J5CT
  RJK0454DPB00J5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0654DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0654DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0654DPB-00#J5CT
  RJK0654DPB00J5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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