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• Broadcom Limited
  DIODE PIN RF SWITCH 100V SOD-323
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 1A SOD-323
  
  型号：HSMP-389Z-TR1G
  仓库库存编号：HSMP-389Z-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 36 micro-X
  
  型号：AT-42036-TR1G
  仓库库存编号：AT-42036-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 60mA 8GHz 500mW Surface Mount 86 Plastic
  
  型号：AT-41586-TR1G
  仓库库存编号：AT-41586-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECTOR SOD-523
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 4V SOD-323
  
  型号：HSMS-286Y-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-286Y-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE PIN RF ATTENUATOR SOT-323
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 1A SOT-323
  
  型号：HSMP-381Z-TR1G
  仓库库存编号：HSMP-381Z-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY 15V 750MA SOT-323
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 15V 750mA 825mW SOT-323
  
  型号：HSMS-270B-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-270B-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECTOR SOD-523
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 2V SOD-323
  
  型号：HSMS-285Y-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-285Y-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY 30V 220MA SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 30V 220mA 250mW SOT-23-3
  
  型号：HBAT-5402-TR1G
  仓库库存编号：HBAT-5402-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY 30V 430MA SOT-323
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 30V 430mA 825mW SOT-323
  
  型号：HBAT-540B-TR1G
  仓库库存编号：HBAT-540B-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE PIN GP 50V SOT-323
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 1A SOD-323
  
  型号：HSMP-386Z-TR1G
  仓库库存编号：HSMP-386Z-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY 15V 350MA SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 15V 350mA 350mW SOT-23-3
  
  型号：HSMS-2700-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-2700-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY RF 15V SOD-523
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 15V 1A SOD-523
  
  型号：HSMS-282Y-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-282Y-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE PIN RF SWITCH 100V SOD-523
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 1A SOD-323
  
  型号：HSMP-389Y-TR1G
  仓库库存编号：HSMP-389Y-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 160V 7A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SJ162-E
  仓库库存编号：2SJ162-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160V 7A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1058-E
  仓库库存编号：2SK1058-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 8A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK2221-E
  仓库库存编号：2SK2221-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1W（Ta） UPAK
  
  型号：2SK2315TYTR-E
  仓库库存编号：2SK2315TYTR-E-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 15A（Ta） 50W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：HAF1002-90STL-E
  仓库库存编号：HAF1002-90STL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 3W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：HAT2038R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2038R-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：HAT2088R-EL-E
  仓库库存编号：HAT2088R-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 25A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2140H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2140H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 40A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 20W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2143H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2143H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 20W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2174H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2174H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 25A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2267H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2267H-EL-E-ND
  
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• STMicroelectronics
  TRANS PNP DARL 100V 15A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 15A 130W Through Hole TO-218-3
  
  型号：BDW84C
  仓库库存编号：497-5717-ND
  别名：497-5717
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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