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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F6DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F6DPQ-A0#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 300W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D7ADPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D7ADPK-00#T0-ND
  别名：RJH60D7ADPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 60V 7A 4.8W Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA5065 LF830
  仓库库存编号：SLA5065 LF830-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND
  别名：TK31E60W,S1VX(S
  TK31E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK31A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK31A60WS4VX-ND
  别名：TK31A60W,S4VX(M
  TK31A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 7A 5W Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA5068 LF853
  仓库库存编号：SLA5068 LF853-ND
  别名：SLA5058 LF853
  SLA5058 LF853-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 125W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1835-E
  仓库库存编号：2SK1835-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 125V 32A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 125V 32A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：BUT70W
  仓库库存编号：497-7213-5-ND
  别名：497-7213-5
  BUT70W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W5,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60W5S1VQ-ND
  别名：TK31J60W5,S1VQ(O
  TK31J60W5S1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W5,S1F
  仓库库存编号：TK35N65W5S1F-ND
  别名：TK35N65W5,S1F(S
  TK35N65W5,S1F-ND
  TK35N65W5S1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6046ANZC8
  仓库库存编号：R6046ANZC8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 560W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY60NM60
  仓库库存编号：497-3268-5-ND
  别名：497-3268-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Skyworks Solutions Inc.
  TRANSISTOR NPN BIPOLAR SIGE
  详细描述：RF Transistor NPN 4V 80mA 16GHz 250mW Surface Mount Die
  
  型号：LPT16ED
  仓库库存编号：LPT16ED-ND
  别名：Q6436624
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 48A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE48NM50
  仓库库存编号：497-3170-5-ND
  别名：497-3170-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 125V 100A ISOTOP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 125V 100A 250W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：BUT30V
  仓库库存编号：497-7212-5-ND
  别名：497-7212-5
  BUT30V-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 1000V 50A ISOTOP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Emitter Switched Bipolar 1000V 50A 400W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：STE50DE100
  仓库库存编号：497-3567-5-ND
  别名：497-3567-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 70A（Tc） 600W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE70NM60
  仓库库存编号：497-3173-5-ND
  别名：497-3173-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MODULE IGBT CBI E1
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 600V 7A 38W Chassis Mount E1
  
  型号：MUBW6-06A6
  仓库库存编号：MUBW6-06A6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT
  详细描述：IGBT Module Single 600V 107A 403W Through Hole MTP
  
  型号：VS-100MT060WSP
  仓库库存编号：VS-100MT060WSP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 96A 378W MTP
  详细描述：IGBT Module Single 600V 96A 378W Chassis Mount MTP
  
  型号：VS-70MT060WSP
  仓库库存编号：VS-70MT060WSP-ND
  别名：VS70MT060WSP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 121A 462W MTP
  详细描述：IGBT Module 600V 121A 462W Chassis Mount MTP
  
  型号：VS-100MT060WDF
  仓库库存编号：VS-100MT060WDF-ND
  别名：VS100MT060WDF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 100A 446W Chassis Mount INT-A-PAK
  
  型号：VS-GB50TP120N
  仓库库存编号：VS-GB50TP120N-ND
  别名：VSGB50TP120N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS RF BIPO 11W 700MA 55FT3
  详细描述：RF Transistor NPN 30V 700mA 225MHz ~ 400MHz 11W Chassis, Stud Mount 55FT
  
  型号：UMIL3
  仓库库存编号：UMIL3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP
  详细描述：IGBT Module 600V 138A 543W Chassis Mount MTP
  
  型号：VS-150MT060WDF
  仓库库存编号：VS-150MT060WDF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK
  详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 600V 138A 500W Chassis Mount INT-A-PAK
  
  型号：VS-GB150TS60NPBF
  仓库库存编号：VS-GB150TS60NPBF-ND
  别名：VSGB150TS60NPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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