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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 70A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK1002DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1002DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 280V 40A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Ta） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FKP280A
  仓库库存编号：FKP280A-ND
  别名：FKP280A DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F0DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F0DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F0DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 30A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FKP300A
  仓库库存编号：FKP300A-ND
  别名：FKP300A DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 85W（Tc） TO-3P
  
  型号：FKP250A
  仓库库存编号：FKP250A-ND
  别名：FKP250A DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Ta） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0602DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0602DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS PNP 200V 15A MT200
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20MHz Through Hole MT-200
  
  型号：2SA1493
  仓库库存编号：2SA1493-ND
  别名：2SA1493 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS PNP DARL 150V 17A MT200
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45MHz Through Hole MT-200
  
  型号：2SB1648
  仓库库存编号：2SB1648-ND
  别名：2SB1648 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 70A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK1002DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1002DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-220
  
  型号：TK20E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK20E60WS1VX-ND
  别名：TK20E60W,S1VX(S
  TK20E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Intersil
  IC TRANS ARRAY NPN 16-SOIC
  详细描述：RF Transistor 5 NPN 12V 65mA 8GHz 150mW Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：HFA3127BZ96
  仓库库存编号：HFA3127BZ96-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 40V 10A TO-220F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 150MHz Through Hole TO-220F-A1
  
  型号：2SB0947AP
  仓库库存编号：2SB0947AP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60WLVQCT-ND
  别名：TK31V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS NPN 120V 6A TOP-3F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20MHz Through Hole TOP-3F-A1
  
  型号：2SD20640S
  仓库库存编号：2SD20640S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 100V 10A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5037
  仓库库存编号：SLA5037-ND
  别名：SLA5037 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3P
  
  型号：FKP330C
  仓库库存编号：FKP330C-ND
  别名：FKP330C DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 250V 7A 4W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5112
  仓库库存编号：SMA5112-ND
  别名：SMA5112 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK20N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK20N60WS1VF-ND
  别名：TK20N60W,S1VF(S
  TK20N60WS1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 75A 200W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-247
  
  型号：RJH60D5BDPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH60D5BDPQ-E0#T2-ND
  别名：RJH60D5BDPQE0T2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1317-E
  仓库库存编号：2SK1317-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 200V 10A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5041
  仓库库存编号：SLA5041-ND
  别名：SLA5041 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 150W（Ta） TO-3P
  
  型号：RJK5015DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK5015DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK1001DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1001DPP-E0#T2-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 300W TO3P
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D7DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D7DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK5015DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJK5015DPM-00#T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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