产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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分立半导体产品
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 100W(Tc) LPTS
型号:
R5021ANJTL
仓库库存编号:
R5021ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 80W(Tc) I-Pak
型号:
TK10Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK10Q60WS1VQ-ND
别名:TK10Q60W,S1VQ(S
TK10Q60WS1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A60D(STA4QM)-ND
别名:TK15A60D(STA4QM)
TK15A60DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6018ANJTL
仓库库存编号:
R6018ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK10A60WS4VX-ND
别名:TK10A60W,S4VX(M
TK10A60WS4VX
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Intersil
IC TRANS ARRAY PNP MATCH SOT23-6
详细描述:RF Transistor 2 PNP (Dual) 9V 26mA 7GHz Surface Mount SOT-23-6
型号:
HFA3135IHZ96
仓库库存编号:
HFA3135IHZ96-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK18A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK18A50D(STA4QM)-ND
别名:TK18A50D(STA4QM)
TK18A50DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),334A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H01NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4H01NT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS 9NPN DARL 120V 2A 21SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 9 NPN Darlington 120V 2A Through Hole 21-SIP
型号:
SLA4051
仓库库存编号:
SLA4051-ND
别名:SLA4051 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS 4PNP DARL 100V 5A 12SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP Darlington (Quad) 100V 5A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA4071
仓库库存编号:
SLA4071-ND
别名:SLA4071 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),334A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H01NFT3G
仓库库存编号:
NTMFS4H01NFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Intersil
IC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC
详细描述:RF Transistor 3 NPN + 2 PNP 12V, 15V 65mA 8GHz, 5.5GHz 150mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
HFA3096BZ96
仓库库存编号:
HFA3096BZ96-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK19A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK19A45D(STA4QM)-ND
别名:TK19A45D(STA4QM)
TK19A45DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5016ANX
仓库库存编号:
R5016ANX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 140W TO-3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
RJP60D0DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJP60D0DPK-00#T0-ND
别名:RJP60D0DPK00T0
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 1.75W(Ta),90W(Tc) TO-220-3
型号:
2SK4094-1E
仓库库存编号:
2SK4094-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS 9NPN DARL 120V 3A 21SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 9 NPN Darlington 120V 3A Through Hole 21-SIP
型号:
SLA4052
仓库库存编号:
SLA4052-ND
别名:SLA4052 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),334A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H01NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4H01NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
RJP6085DPN-00#T2
仓库库存编号:
RJP6085DPN-00#T2-ND
别名:RJP6085DPN00T2
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK12A60WS4VX-ND
别名:TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),334A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H01NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4H01NFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6020ANJTL
仓库库存编号:
R6020ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Sanken
TRANS NPN 200V 15A MT200
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 20MHz Through Hole MT-200
型号:
2SC3857
仓库库存编号:
2SC3857-ND
别名:2SC3857 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB18N55M5
仓库库存编号:
497-11227-1-ND
别名:497-11227-1
497-11227-5
497-11227-5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Sanken
TRANS NPN DARL 150V 17A MT200
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 70MHz Through Hole MT-200
型号:
2SD2561
仓库库存编号:
2SD2561-ND
别名:2SD2561 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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