以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：TK12E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK12E60WS1VX-ND
  别名：TK12E60W,S1VX(S
  TK12E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK10J80E,S1E
  仓库库存编号：TK10J80ES1E-ND
  别名：TK10J80E,S1E(S
  TK10J80ES1E
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），269A（Tc） 2.7W（Ta）, 104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4H013NFT3G
  仓库库存编号：NTMFS4H013NFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-262-3
  
  型号：2SK4066-1E
  仓库库存编号：2SK4066-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS 120V 2A 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 120V 2A Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA4036
  仓库库存编号：SLA4036-ND
  别名：SLA4036 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS 4NPN DARL 200V 3A 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 200V 3A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA4041
  仓库库存编号：SLA4041-ND
  别名：SLA4041 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  IGBT 600V 16A TO-3PF
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-3PF-3
  
  型号：FGM622S
  仓库库存编号：FGM622S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK14A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK14A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK14A55D(STA4QM)
  TK14A55DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK14C65W5,S1Q
  仓库库存编号：TK14C65W5S1Q-ND
  别名：TK14C65W5,S1Q(S
  TK14C65W5,S1Q(S2
  TK14C65W5,S1Q-ND
  TK14C65W5S1Q
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 70A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0703DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0703DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK1003DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1003DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK4066-DL-1E
  仓库库存编号：2SK4066-DL-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS 4NPN DARL 120V 5A 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 120V 5A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA4061
  仓库库存编号：SLA4061-ND
  别名：SLA4061 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN100N20FU6
  仓库库存编号：RDN100N20FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 4A 5W, 25W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA6012
  仓库库存编号：SLA6012-ND
  别名：SLA6012 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS 2NPN/2PNP DARL 100V 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) 100V 5A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA4390
  仓库库存编号：SLA4390-ND
  别名：SLA4390 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 80V 5A TO-220F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30MHz Through Hole TO-220F-A1
  
  型号：2SB09450Q
  仓库库存编号：2SB09450Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 100A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK4065-DL-1E
  仓库库存编号：2SK4065-DL-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  IGBT 600V 30A 60W TO3PF
  详细描述：IGBT Through Hole TO-3PF
  
  型号：FGM623S
  仓库库存编号：FGM623S-ND
  别名：FGM623S DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS 4PNP DARL 100V 5A 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP Darlington (Quad) 100V 5A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA4070
  仓库库存编号：SLA4070-ND
  别名：SLA4070 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60D2DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60D2DPP-M0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0603DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0603DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 70A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK0703DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0703DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK1003DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1003DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），269A（Tc） 2.7W（Ta）, 104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4H013NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4H013NFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索