产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Sanken
MOSFET N-CH 60V TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Ta) 130W(Tc) TO-3P
型号:
2SK3711
仓库库存编号:
2SK3711-ND
别名:2SK3711 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A53D(STA4QM)-ND
别名:TK12A53D(STA4QM)
TK12A53DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A55D(STA4QM)-ND
别名:TK11A55D(STA4QM)
TK11A55DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 20A 30W TO-220FL
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60A83RDPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60A83RDPP-M0#T2-ND
别名:RJH60A83RDPPM0T2
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 450V 15A TO-247
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-247-3
型号:
BUV48A
仓库库存编号:
497-2544-5-ND
别名:497-2544-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK8A60WS4VX-ND
别名:TK8A60W,S4VX(M
TK8A60WS4VX
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A60D(STA4QM)-ND
别名:TK11A60D(STA4QM)
TK11A60DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 800V 24A ISOWATT218
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole ISOWATT-218FX
型号:
HD1750FX
仓库库存编号:
497-4646-5-ND
别名:497-4646-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
IGBT 600V 50A 150W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
MGD623N
仓库库存编号:
MGD623N-ND
别名:MGD623N DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A50DA(STA4,Q,M
仓库库存编号:
TK13A50DA(STA4QM-ND
别名:TK13A50DA(STA4QM
TK13A50DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS PNP DARL 150V 15A TO3PF
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45MHz Through Hole TO-3PF
型号:
2SB1649
仓库库存编号:
2SB1649-ND
别名:2SB1649 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS 4NPN DARL 120V 4A 12SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 120V 4A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA4031
仓库库存编号:
SLA4031-ND
别名:SLA4031 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
IGBT 600V 50A 150W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
MGD623S
仓库库存编号:
MGD623S-ND
别名:MGD623S DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A55D(STA4QM)-ND
别名:TK12A55D(STA4QM)
TK12A55DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A55DA(STA4,QM)
仓库库存编号:
TK13A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK13A55DA(STA4QM)
TK13A55DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R5016ANJTL
仓库库存编号:
R5016ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Maxim Integrated
TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC
详细描述:RF Transistor NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Surface Mount 8-SOIC-EP
型号:
MAX2601ESA+T
仓库库存编号:
MAX2601ESA+T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6015ANJTL
仓库库存编号:
R6015ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 160V 18A TO-3PL
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 30MHz Through Hole TO-3P(L)
型号:
TTC0002(Q)
仓库库存编号:
TTC0002(Q)-ND
别名:TTC0002Q
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP
详细描述:Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 4A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5059
仓库库存编号:
SLA5059-ND
别名:SLA5059 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
不受无铅要求限制
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3480-AZ
仓库库存编号:
2SK3480-AZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Maxim Integrated
TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC
详细描述:RF Transistor NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Surface Mount 8-SOIC-EP
型号:
MAX2602ESA+T
仓库库存编号:
MAX2602ESA+T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 160V 18A TO-3PL
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 30MHz Through Hole TO-3P(L)
型号:
TTA0002(Q)
仓库库存编号:
TTA0002(Q)-ND
别名:TTA0002Q
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A50D(STA4QM)-ND
别名:TK13A50D(STA4QM)
TK13A50DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS 4NPN DARL 120V 5A 12SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 120V 5A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA4060
仓库库存编号:
SLA4060-ND
别名:SLA4060 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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