以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 31A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI07174
  仓库库存编号：FKI07174-ND
  别名：FKI07174 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 4V 75mW SOT-143-4
  
  型号：HSMS-8207-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-8207-TR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60MHz Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SD2643
  仓库库存编号：2SD2643-ND
  别名：2SD2643 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS PNP 60V 8A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP Through Hole TO-220AB
  
  型号：BD536
  仓库库存编号：497-7173-5-ND
  别名：497-7173-5
  BD536-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• WeEn Semiconductors
  TRIAC 800V 12A TO220AB
  详细描述：TRIAC Standard 800V Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA412Y-800C,127
  仓库库存编号：1740-1386-ND
  别名：1740-1386
  568-5712
  568-5712-5
  568-5712-5-ND
  568-5712-ND
  934061314127
  BTA412Y-800C
  BTA412Y-800C,127-ND
  BTA412Y-800C-ND
  BTA412Y800C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 1W（Ta），30W（Tc） TO-251（MP-3）
  
  型号：2SK3484-AZ
  仓库库存编号：2SK3484-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK2076DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK2076DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 600V 2A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-220-3
  
  型号：KSC5502TU
  仓库库存编号：KSC5502TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK12A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK12A50D(STA4QM)
  TK12A50DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2166H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2166H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0456DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0456DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0456DPB-00#J5-ND
  RJK0456DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0656DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0656DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0656DPB-00#J5-ND
  RJK0656DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0856DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0856DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0856DPB-00#J5-ND
  RJK0856DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK1056DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK1056DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK1056DPB-00#J5-ND
  RJK1056DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 600V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2848
  仓库库存编号：2SK2848-ND
  别名：2SK2848 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Common Anode 20V SOT-23-3
  
  型号：HSMS-2813-BLKG
  仓库库存编号：516-2557-ND
  别名：516-2557
  HSMS-2813-BLKG-ND
  HSMS2813BLKG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  IGBT 600V 10A TO220F3
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220F-3FS
  
  型号：NGTB10N60FG
  仓库库存编号：NGTB10N60FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Ta） 1.6W（Ta），70W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8055-H,LQ(M
  仓库库存编号：TPCA8055-HLQ(M-ND
  别名：TPCA8055-HLQ(M
  TPCA8055HLQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 4V 75mW SOT-143-4
  
  型号：HSMS-8207-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-8207-BLKG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 4V 75mW SOT-143-4
  
  型号：HSMS-8207-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-8207-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A53D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A53D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A53D(STA4QM)
  TK5A53DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK6A50D(STA4QM)
  TK6A50DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A55D(STA4QM)
  TK5A55DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKV550N
  仓库库存编号：FKV550N-ND
  别名：FKV550N DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 20A WPAK(3F)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Ta） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK2075DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK2075DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索