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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8J65TB1
  仓库库存编号：SP8J65TB1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT HF SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 4V SOT-363
  
  型号：HSMS-286R-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-286R-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT HF SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 4V SOT-363
  
  型号：HSMS-286P-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-286P-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 25A（Ta） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：TK25E06K3,S1X(S
  仓库库存编号：TK25E06K3S1X(S-ND
  别名：TK25E06K3S1X(S
  TK25E06K3S1XS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 23W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2266H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2266H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 2V SOT-363
  
  型号：HSMS-285P-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-285P-TR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta） 15W（Tc） 8-HWSON（3.3x3.3）
  
  型号：RJK03M5DNS-00#J5
  仓库库存编号：RJK03M5DNS-00#J5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） 5-LFPAK
  
  型号：RJK0301DPB-02#J0
  仓库库存编号：RJK0301DPB-02#J0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 700V 10A TO-220FP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 10A 40W Through Hole TO-220FP
  
  型号：MD1803DFP
  仓库库存编号：497-12496-5-ND
  别名：497-12496-5
  MD1803DFP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E050RPTR
  仓库库存编号：RP1E050RPCT-ND
  别名：RP1E050RPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK10A60DSTA4QM-ND
  别名：TK10A60DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT HF SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 4V SOT-363
  
  型号：HSMS-286R-BLKG
  仓库库存编号：516-2853-ND
  别名：516-2853
  HSMS-286R-BLKG-ND
  HSMS286RBLKG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 500V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK3199
  仓库库存编号：2SK3199-ND
  别名：2SK3199 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK3816-DL-1E
  仓库库存编号：2SK3816-DL-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 2V SOT-363
  
  型号：HSMS-285P-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-285P-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A60DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK3A60DA(STA4QM)-ND
  别名：TK3A60DA(STA4QM)
  TK3A60DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK8P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK8P60WRVQCT-ND
  别名：TK8P60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0455DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0455DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0455DPB-00#J5-ND
  RJK0455DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0655DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0655DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0655DPB-00#J5-ND
  RJK0655DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0855DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0855DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0855DPB-00#J5-ND
  RJK0855DPB-00#J5TR
  
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Pair Series Connection 2V SOT-363
  
  型号：HSMS-285P-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-285P-BLKG-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A50D(STA4,Q,M)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2164H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2164H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 25W（Tc） 5-LFPAK
  
  型号：HAT2261H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2261H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Ta） TO-220SIS
  
  型号：TK6A45DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A45DA(STA4QM)-ND
  别名：TK6A45DA(STA4QM)
  TK6A45DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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