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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 3 Independent 2V SOT-363
  
  型号：HSMS-285L-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-285L-TR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Bridge 20V 1A SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2817-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-2817-TR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 650mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M70TB1
  仓库库存编号：SP8M70TB1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  TRIAC 600V 25A TO220AB
  详细描述：TRIAC Standard 600V 25A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA225-600B,127
  仓库库存编号：1740-1349-ND
  别名：1740-1349
  568-4981-5
  568-4981-5-ND
  934039020127
  BTA225-600B
  BTA225-600B,127-ND
  BTA225-600B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 400V ECH8
  详细描述：IGBT 400V Surface Mount 8-ECH
  
  型号：TIG064E8-TL-H
  仓库库存编号：TIG064E8-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0652DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0652DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0652DPB-00#J5-ND
  RJK0652DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK1052DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK1052DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK1052DPB-00#J5-ND
  RJK1052DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT HF SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 3 Independent 4V SOT-363
  
  型号：HSMS-286L-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-286L-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Ta） 1.5W（Ta），83W（Tc） 8-HVSON（5.4x5.15）
  
  型号：UPA2765T1A-E2-AY
  仓库库存编号：UPA2765T1A-E2-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18.5A（Ta），66A（Tc） 2.64W（Ta）, 33.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4H07NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4H07NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 3 Independent 2V SOT-363
  
  型号：HSMS-285L-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-285L-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Bridge 20V 1A SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2817-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-2817-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 30V 5A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 5A 1.6W Surface Mount SOT-223
  
  型号：STN878
  仓库库存编号：497-7021-1-ND
  别名：497-7021-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 1.8W Surface Mount PW-MINI
  
  型号：MT3S20P(TE12L,F)
  仓库库存编号：MT3S20P(TE12LF)CT-ND
  别名：MT3S20P(TE12LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  TRIAC 600V 25A TO220AB
  详细描述：TRIAC Standard 600V 25A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA225-600BT,127
  仓库库存编号：1740-1412-ND
  别名：1740-1412
  568-7485-5
  568-7485-5-ND
  934059185127
  BTA225-600BT
  BTA225-600BT,127-ND
  BTA225-600BT-ND
  BTA225600BT127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 55A（Tc） 72W（Tc） TO-220
  
  型号：TK35E08N1,S1X
  仓库库存编号：TK35E08N1S1X-ND
  别名：TK35E08N1,S1X(S
  TK35E08N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 30V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263-3
  
  型号：SKI03021
  仓库库存编号：SKI03021CT-ND
  别名：SKI03021CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI04024
  仓库库存编号：SKI04024CT-ND
  别名：SKI04024CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI06048
  仓库库存编号：SKI06048CT-ND
  别名：SKI06048CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 85A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI07074
  仓库库存编号：SKI07074CT-ND
  别名：SKI07074CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 100V 66A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 66A（Tc） 135W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI10123
  仓库库存编号：SKI10123CT-ND
  别名：SKI10123CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT HF SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 3 Independent 4V SOT-363
  
  型号：HSMS-286L-BLKG
  仓库库存编号：516-2852-ND
  别名：516-2852
  HSMS-286L-BLKG-ND
  HSMS286LBLKG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN050N20FU6
  仓库库存编号：RDN050N20FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 5A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 30MHz 1.75W Through Hole TO-220-3
  
  型号：2SD1060R-1E
  仓库库存编号：2SD1060R-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 5A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 30MHz 1.75W Through Hole TO-220-3
  
  型号：2SD1060S-1E
  仓库库存编号：2SD1060S-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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