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• Panasonic Electronic Components
  TRANS NPN 10V 0.08A MINI-3P
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 10V 80mA 6GHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
  
  型号：2SC382900L
  仓库库存编号：2SC382900LCT-ND
  别名：2SC382900LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH100P03TB1
  仓库库存编号：RRH100P03TB1CT-ND
  别名：RRH100P03TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY RF QD 15V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - Cross Over 15V 1A SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2829-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-2829-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 10A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD100N20TL
  仓库库存编号：RCD100N20TL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  BTA225B-800BT/D2PAK/REEL 13" Q
  详细描述：TRIAC Standard 800V 25A Surface Mount D2PAK
  
  型号：BTA225B-800BTJ
  仓库库存编号：BTA225B-800BTJ-ND
  别名：934069261118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS075P03FU6TB
  仓库库存编号：RSS075P03FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A50D(STA4QM)
  TK8A50DSTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-262
  
  型号：N0434N-S23-AY
  仓库库存编号：N0434N-S23-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 20A（Ta） 20W（Tc） TCPT3
  
  型号：RZY200P01TL
  仓库库存编号：RZY200P01TLCT-ND
  别名：RZY200P01TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0328DPB-01#J0
  仓库库存编号：RJK0328DPB-01#J0TR-ND
  别名：RJK0328DPB-01#J0TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI06051
  仓库库存编号：EKI06051-ND
  别名：EKI06051 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI07076
  仓库库存编号：EKI07076-ND
  别名：EKI07076 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 100V 66A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 66A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI10126
  仓库库存编号：EKI10126-ND
  别名：EKI10126 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY RF QD 15V SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - Cross Over 15V 1A SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2829-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-2829-BLKG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 65A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 65A（Ta） 65W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：RJK0346DPA-01#J0B
  仓库库存编号：RJK0346DPA-01#J0B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 55A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 55A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI07076
  仓库库存编号：FKI07076-ND
  别名：FKI07072
  FKI07072-ND
  FKI07076 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 41A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 41A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI10126
  仓库库存编号：FKI10126-ND
  别名：FKI10126 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 16A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS
  
  型号：RCJ160N20TL
  仓库库存编号：RCJ160N20TL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 82A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：N0604N-S19-AY
  仓库库存编号：N0604N-S19-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 375V 2A PW MOLD2
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 375V 2A 1.1W Through Hole PW-MOLD2
  
  型号：TTC012(Q)
  仓库库存编号：TTC012(Q)-ND
  别名：TTC012Q
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT HF SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 3 Independent 4V SOT-363
  
  型号：HSMS-286L-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-286L-TR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 85A（Ta） 1.5W（Ta） 8-HVSON（5.4x5.15）
  
  型号：UPA2739T1A-E2-AY
  仓库库存编号：UPA2739T1A-E2-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK
  详细描述：MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK
  
  型号：ATP404-H-TL-H
  仓库库存编号：ATP404-H-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 150V 7A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 7A 10MHz 60W Through Hole TO-220-3
  
  型号：BU407
  仓库库存编号：BU407-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS PNP DARL 60V 4A SOT-32
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 4A 40W Through Hole SOT-32-3
  
  型号：BD678A
  仓库库存编号：497-6658-5-ND
  别名：497-6658-5
  BD678A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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