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• Texas Instruments
  TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 100V 500mA Through Hole 16-PDIP
  
  型号：SN75468NG4
  仓库库存编号：SN75468NG4-ND
  别名：SN75468NE4
  SN75468NE4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington Through Hole TO-220
  
  型号：TIP125-BP
  仓库库存编号：TIP125-BP-ND
  别名：TIP125BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington Through Hole TO-220
  
  型号：TIP127-BP
  仓库库存编号：TIP127-BP-ND
  别名：TIP127BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0332DPB-01#J0
  仓库库存编号：RJK0332DPB-01#J0CT-ND
  别名：RJK0332DPB-01#J0CT
  RJK0332DPB01J0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK03M5DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK03M5DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 80V 24A SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 1.6W（Ta），48W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH12008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH12008NHL1QCT-ND
  别名：TPH12008NHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RJK0349DSP-00#J0
  仓库库存编号：RJK0349DSP-00#J0CT-ND
  别名：RJK0349DSP-00#J0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
  
  型号：IMT17T110
  仓库库存编号：IMT17T110CT-ND
  别名：IMT17T110CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 20W（Ta） TCPT3
  
  型号：RSY200N05TL
  仓库库存编号：RSY200N05TLCT-ND
  别名：RSY200N05TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.1A, 5.3A 450mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TPC8408,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8408LQ(S-ND
  别名：TPC8408LQ(S
  TPC8408LQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 700mW（Ta），35W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN2R503NC,L1Q
  仓库库存编号：TPN2R503NCL1QCT-ND
  别名：TPN2R503NCL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  BTA140-600G0T/SIL3P/STANDARD M
  详细描述：TRIAC Standard 600V Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA140-600G0TQ
  仓库库存编号：BTA140-600G0TQ-ND
  别名：934068924127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH075P03TB1
  仓库库存编号：RRH075P03TB1CT-ND
  别名：RRH075P03TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 80V 3.4A, 2.6A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8M41GZETB
  仓库库存编号：SH8M41GZETBCT-ND
  别名：SH8M41GZETBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  TRANS NPN DARL 120V 4A TO220F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40MHz Through Hole TO-220F
  
  型号：2SD2015
  仓库库存编号：2SD2015-ND
  别名：2SD2015 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK5P50D(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK5P50D(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK5P50DT6RSSQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - Single 4V 75mW SOT-23-3
  
  型号：HSMS-8101-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-8101-TR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 60V 2A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 150MHz Through Hole TO-126
  
  型号：2SA1096AQ
  仓库库存编号：2SA1096AQ-ND
  别名：2SA1096A
  2SA1096A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 50V 0.5A MT-1
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 200MHz Through Hole MT-1-A1
  
  型号：2SB1321A0A
  仓库库存编号：2SB1321A0ACT-ND
  别名：2SB1321A
  2SB1321A0ACT
  2SB1321ACT
  2SB1321ACT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP113-TL-H
  仓库库存编号：869-1077-2-ND
  别名：869-1077-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M8FU6TB
  仓库库存编号：SP8M8FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Independent 2V SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2855-BLKG
  仓库库存编号：516-1933-ND
  别名：516-1933
  HSMS-2855-BLKG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Independent 2V SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2855-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-2855-TR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-143
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Independent 2V SOT-143-4
  
  型号：HSMS-2855-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-2855-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0451DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0451DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0451DPB-00#J5-ND
  RJK0451DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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