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• ON Semiconductor
  TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
  详细描述：RF Transistor NPN 30V 300mA 3.5GHz 1.3W Surface Mount PCP
  
  型号：2SC5551AE-TD-E
  仓库库存编号：2SC5551AE-TD-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 100V 4A TP-FA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 130MHz Surface Mount 2-TP-FA
  
  型号：2SB1216T-TL-E
  仓库库存编号：2SB1216T-TL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY RF TRP 15V SOT363
  详细描述：RF Diode Schottky - 3 Independent 15V SOT-363
  
  型号：HSMS-282L-TR2G
  仓库库存编号：HSMS-282L-TR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 100V 7A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-220-3
  
  型号：KSC2334YTU
  仓库库存编号：KSC2334YTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS040P03FU6TB
  仓库库存编号：RSS040P03FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 11A TP
  详细描述：通孔 P 沟道 11A（Ta） 1W（Ta），35W（Tc） TP
  
  型号：SFT1345-H
  仓库库存编号：SFT1345-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN 60V 5A SOT-428
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120MHz Surface Mount CPT3
  
  型号：2SC5103TLP
  仓库库存编号：2SC5103TLP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-323
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Common Cathode 20V SOT-323
  
  型号：HSMS-281F-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-281F-BLKG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-323
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Common Anode 20V SOT-323
  
  型号：HSMS-281E-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-281E-BLKG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Isolated 20V SOT-363
  
  型号：HSMS-281K-BLKG
  仓库库存编号：HSMS-281K-BLKG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-323
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Common Anode 20V SOT-323
  
  型号：HSMS-281E-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-281E-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-323
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Common Cathode 20V SOT-323
  
  型号：HSMS-281F-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-281F-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-323
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 20V SOT-323
  
  型号：HSMS-281C-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-281C-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Isolated 20V SOT-363
  
  型号：HSMS-281K-TR1G
  仓库库存编号：HSMS-281K-TR1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• WeEn Semiconductors
  ACTT16B-800CTN/D2PAK/REEL 13
  详细描述：TRIAC Standard 800V Surface Mount D2PAK
  
  型号：ACTT16B-800CTNJ
  仓库库存编号：ACTT16B-800CTNJ-ND
  别名：934069229118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 63W（Tc） DPAK
  
  型号：TK60P03M1,RQ(S
  仓库库存编号：TK60P03M1RQ(S-ND
  别名：TK60P03M1RQ(S
  TK60P03M1RQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J118TU(TE85L)
  仓库库存编号：SSM3J118TU(TE85L)CT-ND
  别名：SSM3J118TU(TE85L)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 90W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI03036
  仓库库存编号：SKI03036CT-ND
  别名：SKI03036CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 90W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI04044
  仓库库存编号：SKI04044CT-ND
  别名：SKI04044CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 57A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 90W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI06106
  仓库库存编号：SKI06106CT-ND
  别名：SKI06106CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 46A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 90W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI07171
  仓库库存编号：SKI07171CT-ND
  别名：SKI07171CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 100V 34A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 90W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI10297
  仓库库存编号：SKI10297CT-ND
  别名：SKI10297CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 200MHz Through Hole TO-220NIS
  
  型号：2SA1930(Q,M)
  仓库库存编号：2SA1930QM-ND
  别名：2SA1930(Q,M)-ND
  2SA1930QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 450mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TPC8223-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8223-HLQ(S-ND
  别名：TPC8223-HLQ(S
  TPC8223HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7.4A 450mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TPC8407,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8407LQ(S-ND
  别名：TPC8407LQ(S
  TPC8407LQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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