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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 80V 10A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 1.67W Through Hole TO-220-3
  
  型号：KSE44H11TU
  仓库库存编号：KSE44H11TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Ta） 67W（Tc） TO-220
  
  型号：TK40E06N1,S1X
  仓库库存编号：TK40E06N1S1X-ND
  别名：TK40E06N1,S1X(S
  TK40E06N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 36W Through Hole TO-220FP
  
  型号：D45H11FP
  仓库库存编号：497-12486-5-ND
  别名：497-12486-5
  D45H11FP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK40A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK40A06N1S4X-ND
  别名：TK40A06N1,S4X(S
  TK40A06N1,S4X-ND
  TK40A06N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 100V 10A TO220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 10A 80W Through Hole TO-220-3
  
  型号：TIP147T
  仓库库存编号：TIP147TFS-ND
  别名：TIP147TFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 450V 5A TO-220F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 5A 40W Through Hole TO-220F
  
  型号：BUT11AFTU
  仓库库存编号：BUT11AFTUFS-ND
  别名：BUT11AFTU-ND
  BUT11AFTUFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK35A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK35A08N1S4X-ND
  别名：TK35A08N1,S4X(S
  TK35A08N1,S4X-ND
  TK35A08N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS PNP DARL 100V 12A TO-220FP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 33W Through Hole TO-220FP
  
  型号：BDW94CFP
  仓库库存编号：497-12034-5-ND
  别名：497-12034-5
  BDW94CFP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK58A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK58A06N1S4X-ND
  别名：TK58A06N1,S4X(S
  TK58A06N1,S4X-ND
  TK58A06N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS NPN 60V 3A TO220F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 15MHz 25W Through Hole TO-220F
  
  型号：2SC3852
  仓库库存编号：2SC3852-ND
  别名：2SC3852 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK32A12N1,S4X
  仓库库存编号：TK32A12N1S4X-ND
  别名：TK32A12N1,S4X(S
  TK32A12N1,S4X-ND
  TK32A12N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R8005ANX
  仓库库存编号：R8005ANX-ND
  别名：R8005ANXCT
  R8005ANXCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：RSJ550N10TL
  仓库库存编号：RSJ550N10TLCT-ND
  别名：RSJ550N10TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7NM60N
  仓库库存编号：497-10570-5-ND
  别名：497-10570-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 120V 72A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK72A12N1,S4X
  仓库库存编号：TK72A12N1S4X-ND
  别名：TK72A12N1,S4X(S
  TK72A12N1,S4X-ND
  TK72A12N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK14E65W,S1X
  仓库库存编号：TK14E65WS1X-ND
  别名：TK14E65W,S1X(S
  TK14E65W,S1X-ND
  TK14E65WS1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI33N65M2
  仓库库存编号：497-15551-5-ND
  别名：497-15551-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R8008ANX
  仓库库存编号：R8008ANX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 328.9W TO247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F7DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F7DPQ-A0#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：TK62N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK62N60WS1VF-ND
  别名：TK62N60W,S1VF(S
  TK62N60WS1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  DIODE RF SGL 50V 100MA SOD-323
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 250mW PG-SOD323-2
  
  型号：BAR6303WE6327HTSA1
  仓库库存编号：BAR6303WE6327HTSA1CT-ND
  别名：BAR63-03WE6327INCT
  BAR63-03WE6327INCT-ND
  BAR6303WE6327HTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） VML1006
  
  型号：RV2C001ZPT2L
  仓库库存编号：RV2C001ZPT2LCT-ND
  别名：RV2C001ZPT2LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 50V 0.1A SMINI3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2-B
  
  型号：DSA5001S0L
  仓库库存编号：DSA5001S0LCT-ND
  别名：DSA5001S0LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3-B
  
  型号：DSA900100L
  仓库库存编号：DSA900100LCT-ND
  别名：DSA900100LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS NPN 50V 0.5A MINI3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 160MHz 200mW Surface Mount Mini3-G3-B-B
  
  型号：DSC2002R0L
  仓库库存编号：DSC2002R0LCT-ND
  别名：DSC2002R0LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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