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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F4DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F4DPQ-A0#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK16C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16C60WS1VQ-ND
  别名：TK16C60W,S1VQ(S
  TK16C60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F5DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F5DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS PNP 180V 15A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 15A 20MHz 85W Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SA1673
  仓库库存编号：2SA1673-ND
  别名：2SA1673 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：TK16N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK16N60WS1VF-ND
  别名：TK16N60W,S1VF(S
  TK16N60WS1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK16J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16J60WS1VQ-ND
  别名：TK16J60W,S1VQ(O
  TK16J60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 50A 245W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 245W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV5DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV5DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK20C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK20C60WS1VQ-ND
  别名：TK20C60W,S1VQ(S
  TK20C60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F6BDPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F6BDPQ-A0#T0-ND
  别名：RJH60F6BDPQA0T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 60A 41.2W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJP60F4DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJP60F4DPM-00#T1-ND
  别名：RJP60F4DPM00T1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220D-A1
  
  型号：2SK3892
  仓库库存编号：2SK3892-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 60A 290W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV6DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV6DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV6DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 300W TO-247
  详细描述：IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH60D7BDPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH60D7BDPQ-E0#T2-ND
  别名：RJH60D7BDPQE0T2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS 3NPN/3PNP DARL 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 80V, 100V 5A 5W Surface Mount 12-SIP
  
  型号：SLA6022
  仓库库存编号：SLA6022-ND
  别名：SLA6022 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 300W TO-247
  详细描述：IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH60D7DPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH60D7DPQ-E0#T2-ND
  别名：RJH60D7DPQE0T2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F7BDPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F7BDPQ-A0#T0-ND
  别名：RJH60F7BDPQA0T0
  
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  IGBT 600V 30A PFC
  详细描述：IGBT 600V 30A Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5227
  仓库库存编号：SLA5227-ND
  别名：SLA5227 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV7DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV7DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV7DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F6DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F6DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F6DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 30A PFC
  详细描述：IGBT 600V 30A Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5222
  仓库库存编号：SLA5222-ND
  别名：SLA5222 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 5A 4W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5118
  仓库库存编号：SMA5118-ND
  别名：SMA5118 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 227.2W（Tc） TO-3PSG
  
  型号：RJK60S7DPK-M0#T0
  仓库库存编号：RJK60S7DPK-M0#T0-ND
  别名：RJK60S7DPKM0T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34.7W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK60S7DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK60S7DPP-E0#T2-ND
  别名：RJK60S7DPPE0T2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 560W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY60NM50
  仓库库存编号：497-2775-5-ND
  别名：497-2775-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
  
  型号：SG2013J-883B
  仓库库存编号：1259-1108-ND
  别名：1259-1108
  1259-1108-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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