产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Ta),13A(Tc) 3W(Ta),90W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL18N55M5
仓库库存编号:
497-12979-1-ND
别名:497-12979-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 328.9W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F7ADPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F7ADPK-00#T0-ND
别名:RJH60F7ADPK00T0
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK20A60U(Q,M)
仓库库存编号:
TK20A60UQM-ND
别名:TK20A60U(Q)
TK20A60UQ
TK20A60UQ-ND
TK20A60UQM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.5A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB19NM65N
仓库库存编号:
497-7001-1-ND
别名:497-7001-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
RSJ650N10TL
仓库库存编号:
RSJ650N10TLCT-ND
别名:RSJ650N10TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 170W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK15J60U(F)
仓库库存编号:
TK15J60UF-ND
别名:TK15J60U(F)-ND
TK15J60UF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB36NM60ND
仓库库存编号:
497-13861-1-ND
别名:497-13861-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB80N20M5
仓库库存编号:
497-10705-1-ND
别名:497-10705-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL21N65M5
仓库库存编号:
497-10961-1-ND
别名:497-10961-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta),15A(Tc) 2.8W(Ta),125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL31N65M5
仓库库存编号:
497-14541-1-ND
别名:497-14541-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
STB46N30M5
仓库库存编号:
497-14964-1-ND
别名:497-14964-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB28NM60ND
仓库库存编号:
497-14238-1-ND
别名:497-14238-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB25NM60ND
仓库库存编号:
497-8473-1-ND
别名:497-8473-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB26NM60ND
仓库库存编号:
497-14264-1-ND
别名:497-14264-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
STB34NM60N
仓库库存编号:
497-12236-1-ND
别名:497-12236-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.5A(Tc) 3W(Ta),150W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL23NM60ND
仓库库存编号:
497-11205-1-ND
别名:497-11205-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB32N65M5
仓库库存编号:
497-10564-1-ND
别名:497-10564-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.5A(Tc) 2.8W(Ta),150W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL36N55M5
仓库库存编号:
497-13601-1-ND
别名:497-13601-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB38N65M5
仓库库存编号:
497-13086-1-ND
别名:497-13086-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB34NM60ND
仓库库存编号:
497-12237-1-ND
别名:497-12237-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
STB36NM60N
仓库库存编号:
497-12972-1-ND
别名:497-12972-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta),34A(Tc) 3W(Ta),208W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL42N65M5
仓库库存编号:
497-13602-1-ND
别名:497-13602-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
MMBTA06LT1HTSA1
仓库库存编号:
MMBTA06LT1HTSA1CT-ND
别名:MMBTA 06 LT1CT
MMBTA06LT1INCT
MMBTA06LT1INCT-ND
MMBTA06LT1XTINCT
MMBTA06LT1XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Skyworks Solutions Inc.
DIODE SCHOTTKY 50MA
详细描述:RF Diode Schottky - Single 75mW SOT-23
型号:
SMS3923-001LF
仓库库存编号:
1287-SMS3923-001LF-CHP
别名:SMS3923001LF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
TRANS NPN 60V 1A SOT-89
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT89
型号:
BCX 55-16 E6327
仓库库存编号:
BCX55-16E6327INCT-ND
别名:BCX55-16E6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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