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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P(L)
  
  型号：2SC5200-O(Q)
  仓库库存编号：2SC5200-OQ-ND
  别名：2SC5200-0(Q)
  2SC5200-O(Q)-ND
  2SC5200-OQ
  2SC5200OQ
  Q2143132
  SC5200-O (Q)
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 230V 15A TO-3PL
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P(L)
  
  型号：2SA1943-O(Q)
  仓库库存编号：2SA1943-OQ-ND
  别名：2SA1943-O (Q)
  2SA1943-OQ
  2SA1943OQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 50V 75A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Ta） 40W（Tc） TO-220
  
  型号：FKV575
  仓库库存编号：FKV575-ND
  别名：FKV575 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 130W Through Hole TO-3P(N)
  
  型号：2SA1962-O(Q)
  仓库库存编号：2SA1962-OQ-ND
  别名：2SA1962-OQ
  2SA1962OQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 100V 15A UG-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 1W（Ta），20W（Tc） U-DL
  
  型号：2SK326800L
  仓库库存编号：2SK326800LCT-ND
  别名：2SK326800LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 46A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8045-H(T2L1,VM
  仓库库存编号：TPCA8045-H(T2L1VMCT-ND
  别名：TPCA8045-H(T2L1VMCT
  TPCA8045-HTE12LQMCT
  TPCA8045-HTE12LQMCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPWR8503NL,L1Q
  仓库库存编号：TPWR8503NLL1QCT-ND
  别名：TPWR8503NLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB33N65M2
  仓库库存编号：497-15457-1-ND
  别名：497-15457-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：RSJ10HN06TL
  仓库库存编号：RSJ10HN06TLCT-ND
  别名：RSJ10HN06TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD11NM60ND
  仓库库存编号：497-8477-1-ND
  别名：497-8477-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60WS4VX-ND
  别名：TK16A60W,S4VX(M
  TK16A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） SO8-F1-B
  
  型号：MTM982400BBF
  仓库库存编号：MTM982400BBFCT-ND
  别名：MTM982400BBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 10A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL15N65M5
  仓库库存编号：497-13966-1-ND
  别名：497-13966-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12.5A PWRFLAT88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta），12.5A（Tc） 2.8W（Ta），90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL19N65M5
  仓库库存编号：497-14538-1-ND
  别名：497-14538-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK13A65U(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK13A65U(STA4QM)-ND
  别名：TK13A65U(STA4QM)
  TK13A65USTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB21NK50Z
  仓库库存编号：497-8767-1-ND
  别名：497-8767-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60W5,S5VX
  仓库库存编号：TK20A60W5S5VX-ND
  别名：TK20A60W5,S5VX(M
  TK20A60W5,S5VX-ND
  TK20A60W5S5VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SMP3003-DL-1E
  仓库库存编号：SMP3003-DL-1EOSCT-ND
  别名：SMP3003-DL-1EOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：R6008FNJTL
  仓库库存编号：R6008FNJTLCT-ND
  别名：R6008FNJTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SMP3003-TL-1E
  仓库库存编号：SMP3003-TL-1EOSCT-ND
  别名：SMP3003-TL-1EOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 109W（Tc） DPAK
  
  型号：STD13NM60ND
  仓库库存编号：497-13863-1-ND
  别名：497-13863-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM50N
  仓库库存编号：497-5781-1-ND
  别名：497-5781-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta），10A（Tc） 2.8W（Ta），70W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL17N65M5
  仓库库存编号：497-15145-1-ND
  别名：497-15145-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260.4W
  详细描述：IGBT 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJP60F5DPK-01#T0
  仓库库存编号：RJP60F5DPK-01#T0-ND
  别名：RJP60F5DPK01T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18N65M5
  仓库库存编号：497-13083-1-ND
  别名：497-13083-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 150°C（TJ）,
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