以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN 90V 10A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 90V 10A 85W Through Hole TO-220AB
  
  型号：BUV26
  仓库库存编号：497-7215-5-ND
  别名：497-7215-5
  BUV26-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN 120V 12A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 12A 85W Through Hole TO-220AB
  
  型号：BUV27
  仓库库存编号：497-7216-5-ND
  别名：497-7216-5
  BUV27-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN 60V 30A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 30A 8MHz 150W Through Hole TO-218-3
  
  型号：BUW48
  仓库库存编号：BUW48-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 6A 70W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 6A 70W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB3NB60SDT4
  仓库库存编号：STGB3NB60SDT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Intersil
  IC TRANS ARRAY 5X NPN 16QFN
  详细描述：RF Transistor 5 NPN 12V 65mA 8GHz 150mW Surface Mount 16-QFN (3x3)
  
  型号：HFA3127R
  仓库库存编号：HFA3127R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Intersil
  IC TRANS ARRAY 5X NPN 16QFN
  详细描述：RF Transistor 5 NPN 12V 65mA 8GHz 150mW Surface Mount 16-QFN (3x3)
  
  型号：HFA3127R96
  仓库库存编号：HFA3127R96-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Intersil
  IC TRANS ARRAY 5X PND 16QFN
  详细描述：RF Transistor 5 PNP 15V 65mA 5.5GHz 150mW Surface Mount 16-QFN (3x3)
  
  型号：HFA3128R
  仓库库存编号：HFA3128R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Intersil
  IC TRANS ARRAY 5X PND 16QFN
  详细描述：RF Transistor 5 PNP 15V 65mA 5.5GHz 150mW Surface Mount 16-QFN (3x3)
  
  型号：HFA3128R96
  仓库库存编号：HFA3128R96-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN DARL 350V 15A D2PAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 15A 150W Surface Mount D2PAK
  
  型号：BUB941ZT
  仓库库存编号：497-6203-5-ND
  别名：497-6203-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 6A 48W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 6A 48W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGD3NB60SD-1
  仓库库存编号：STGD3NB60SD-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Intersil
  IC TRANSISTOR ARRAY PNP 16-QFN
  详细描述：RF Transistor 5 PNP 15V 65mA 5.5GHz 150mW Surface Mount 16-QFN (3x3)
  
  型号：HFA3128RZ
  仓库库存编号：HFA3128RZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Intersil
  IC TRANSISTOR ARRAY PNP 16-QFN
  详细描述：RF Transistor 5 PNP 15V 65mA 5.5GHz 150mW Surface Mount 16-QFN (3x3)
  
  型号：HFA3128RZ96
  仓库库存编号：HFA3128RZ96-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT343R
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 500mW Surface Mount CMPAK-4
  
  型号：BFG540W/XR,135
  仓库库存编号：568-5821-1-ND
  别名：568-5821-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 5GHZ 5V SOT343
  详细描述：RF Transistor NPN 5V 6.5mA 5GHz 500mW Surface Mount 4-SO
  
  型号：BFG25AW/X,115
  仓库库存编号：568-6185-1-ND
  别名：568-6185-1
  BFG25AWX115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P06PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P06PDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P06PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P06PLG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Ta） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263
  
  型号：NP109N055PUJ-E1B-AY
  仓库库存编号：NP109N055PUJ-E1B-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 110A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
  
  型号：NP110N03PUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP110N03PUG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
  
  型号：NP110N04PUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP110N04PUG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 15A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 15A（Ta） 1.2W（Ta），30W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP15P04SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP15P04SLG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 15A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 15A（Ta） 1.2W（Ta），30W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP15P06SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP15P06SLG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Ta） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N04TDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N04TDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N04TUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N04TUG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N04TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N04TUJ-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP180N04TUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP180N04TUG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索