产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 600V 25A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC2506W
仓库库存编号:
GBPC2506WDI-ND
别名:GBPC2506WDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 800V 25A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC2508W
仓库库存编号:
GBPC2508WDI-ND
别名:GBPC2508WDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 1000V 25A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC2510W
仓库库存编号:
GBPC2510WDI-ND
别名:GBPC2510WDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 50V 35A GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC35005
仓库库存编号:
GBPC35005DI-ND
别名:GBPC35005DI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 100V 35A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC35005W
仓库库存编号:
GBPC35005WDI-ND
别名:GBPC35005WDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 100V 35A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3501W
仓库库存编号:
GBPC3501WDI-ND
别名:GBPC3501WDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 400V 35A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3504W
仓库库存编号:
GBPC3504WDI-ND
别名:GBPC3504WDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 600V 35A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3506W
仓库库存编号:
GBPC3506WDI-ND
别名:GBPC3506WDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3508W
仓库库存编号:
GBPC3508WDI-ND
别名:GBPC3508WDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N15T4G
仓库库存编号:
MTD6N15T4GOSCT-ND
别名:MTD6N15T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 450V 2A DPAK
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 2A 13MHz 50W Surface Mount DPAK-3
型号:
MJD18002D2T4G
仓库库存编号:
MJD18002D2T4GOSCT-ND
别名:MJD18002D2T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 340mA(Ta) 830mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
2N7002K,215
仓库库存编号:
568-4984-1-ND
别名:568-4984-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N15T4GV
仓库库存编号:
MTD6N15T4GV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 520mA(Tc) 6.25W(Tc) SOT-223
型号:
BSP110,115
仓库库存编号:
568-6812-1-ND
别名:568-6812-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BSP100,135
仓库库存编号:
568-6956-1-ND
别名:568-6956-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
JFET N-CH 35V 0.35W TO92
详细描述:JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3
型号:
J112RLRAG
仓库库存编号:
J112RLRAGOSCT-ND
别名:J112RLRAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TRANS NPN DARL 60V 8A TO220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 8A 2W Through Hole TO-220
型号:
BD645-S
仓库库存编号:
BD645-S-ND
别名:BD645S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Bourns Inc.
TRANS PNP DARL 80V 8A TO220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 8A 2W Through Hole TO-220
型号:
BD648-S
仓库库存编号:
BD648-S-ND
别名:BD648S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 2W Through Hole TO-220
型号:
BD649-S
仓库库存编号:
BD649-S-ND
别名:BD649S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Bourns Inc.
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 8A 2W Through Hole TO-220
型号:
BD650-S
仓库库存编号:
BD650-S-ND
别名:BD650S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Bourns Inc.
TRANS NPN DARL 120V 8A TO220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 8A 2W Through Hole TO-220
型号:
BD651-S
仓库库存编号:
BD651-S-ND
别名:BD651S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Bourns Inc.
TRANS PNP DARL 120V 8A TO220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 8A 2W Through Hole TO-220
型号:
BD652-S
仓库库存编号:
BD652-S-ND
别名:BD652S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Bourns Inc.
TRANS NPN DARL 100V 12A TO22
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 2W Through Hole TO-220
型号:
BDW93C-S
仓库库存编号:
BDW93C-S-ND
别名:BDW93CS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Bourns Inc.
TRANS NPN DARL 400V 7A TO220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400V 7A 2W Through Hole TO-220
型号:
TIP152-S
仓库库存编号:
TIP152-S-ND
别名:TIP152S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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Bourns Inc.
TRANS NPN DARL 550V 4A TO220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 550V 4A 12MHz 75W Through Hole TO-220
型号:
TIPL760C-S
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TIPL760C-S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ),
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