以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• NXP USA Inc.
  DIODE PIN 60V 100MA SOT-23
  详细描述：RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 60V 100mA 250mW TO-236AB (SOT23)
  
  型号：BAP1321-04,215
  仓库库存编号：568-11081-6-ND
  别名：568-11081-6
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  DIODE PIN 50V 100MA SOT323
  详细描述：RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 50V 100mA 240mW SOT-323
  
  型号：BAP63-05W,115
  仓库库存编号：568-1928-1-ND
  别名：568-1928-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Tc） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：SI2302DS,215
  仓库库存编号：568-5956-1-ND
  别名：568-5956-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  DIODE SILICON PIN SOD-882T
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 100mA 135mW SOD2
  
  型号：BAP63LX,315
  仓库库存编号：BAP63LX,315-ND
  别名：934061241315
  BAP63LX T/R
  BAP63LX T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  DIODE PIN 50V 100MA SOD-523
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 100mA 715mW SOD-523
  
  型号：BAP63-02,115
  仓库库存编号：568-1926-1-ND
  别名：568-1926-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  DIODE PIN 60V 100MA SOD-882
  详细描述：RF Diode PIN - Single 60V 100mA 500mW DFN1006-2
  
  型号：BAP51L,315
  仓库库存编号：568-1924-1-ND
  别名：568-1924-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 400V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 15A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1504
  仓库库存编号：GBJ1504DI-ND
  别名：GBJ1504DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 335mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSH111,215
  仓库库存编号：568-1657-1-ND
  别名：568-1657-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  DIODE PIN 60V 100MA SOD-323
  详细描述：RF Diode PIN - Single 60V 100mA 500mW SOD-323
  
  型号：BAP1321-03,115
  仓库库存编号：568-1914-1-ND
  别名：568-1914-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF620
  仓库库存编号：IRF620IR-ND
  别名：*IRF620
  IRF620IR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  RECTIFIER BRIDGE 50V 6A PB-6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole PB-6
  
  型号：PB605
  仓库库存编号：PB605DI-ND
  别名：PB605DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  RECTIFIER BRIDGE 100V 6A PB-6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole PB-6
  
  型号：PB61
  仓库库存编号：PB61DI-ND
  别名：PB61DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  RECTIFIER BRIDGE 200V 6A PB-6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole PB-6
  
  型号：PB62
  仓库库存编号：PB62DI-ND
  别名：PB62DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  RECTIFIER BRIDGE400V 6A PB-6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 6A Through Hole PB-6
  
  型号：PB64
  仓库库存编号：PB64DI-ND
  别名：PB64DI
  PB64DI-FDI
  PB64DI-FDI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 60V 1A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 100MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BSR31TA
  仓库库存编号：BSR31DKR-ND
  别名：BSR31DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 500mA 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BST51TA
  仓库库存编号：BST51DKR-ND
  别名：BST51DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 20V 1A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 1A 60MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BC869TA
  仓库库存编号：BC869DKR-ND
  别名：BC869DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 200V 0.5A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 200V 500mA 15MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BST15TA
  仓库库存编号：BST15DKR-ND
  别名：BST15DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS PNP DARL 60V 0.5A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 500mA 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BST61TA
  仓库库存编号：BST61TR-ND
  别名：BST61TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS PNP DARL 60V 0.5A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 500mA 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BST61TA
  仓库库存编号：BST61DKR-ND
  别名：BST61DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 150MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BCV29TA
  仓库库存编号：BCV29DKR-ND
  别名：BCV29DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 20V 1A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 60MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BC868TA
  仓库库存编号：BC868DKR-ND
  别名：BC868DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT453N
  仓库库存编号：NDT453NCT-ND
  别名：NDT453NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT455N
  仓库库存编号：NDT455NCT-ND
  别名：NDT455NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT452P
  仓库库存编号：NDT452PDKR-ND
  别名：NDT452PDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索