产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 4A 400V KBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole KBJ
型号：
KBJ404G
仓库库存编号：
KBJ404GDI-ND
别名：KBJ404G-ND
KBJ404GDI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 6A 800V KBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 6A Through Hole KBJ
型号：
KBJ608G
仓库库存编号：
KBJ608GDI-ND
别名：KBJ608G-ND
KBJ608GDI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP12NM50
仓库库存编号：
497-2666-5-ND
别名：497-2666-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NM50
仓库库存编号：
497-2663-5-ND
别名：497-2663-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP11NM60
仓库库存编号：
497-2773-5-ND
别名：497-2773-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB11NM60T4
仓库库存编号：
497-6545-1-ND
别名：497-6545-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） D2PAK
型号：
STB20NM50T4
仓库库存编号：
497-5312-2-ND
别名：497-5312-2
Q1966796
STB20NM50T4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） D2PAK
型号：
STB20NM60D
仓库库存编号：
497-6193-1-ND
别名：497-6193-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NM60FD
仓库库存编号：
497-5395-5-ND
别名：497-5395-5
STP20NM60FD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NM50FD
仓库库存编号：
497-6739-5-ND
别名：497-6739-5
STP20NM50FD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 214W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NM60FD
仓库库存编号：
497-5415-5-ND
别名：497-5415-5
STW20NM60FD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI11NM80
仓库库存编号：
497-13106-5-ND
别名：497-13106-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） I2PAK
型号：
STB20NM50-1
仓库库存编号：
497-5382-5-ND
别名：497-5382-5
STB20NM50-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3
型号：
STW45NM50
仓库库存编号：
497-2760-5-ND
别名：497-2760-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE ZENER 22V 200MW SOD323
详细描述：Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SOD-323
型号：
MM3Z22VST1G
仓库库存编号：
MM3Z22VST1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE ZENER 26.86V 200MW SOD323
详细描述：Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SOD-323
型号：
MM3Z27VST1G
仓库库存编号：
MM3Z27VST1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE ZENER 36V 200MW SOD323
详细描述：Zener Diode 300mW ±3% Surface Mount SOD-323
型号：
MM3Z36VST1G
仓库库存编号：
MM3Z36VST1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE ZENER 8.19V 300MW SOD323
详细描述：Zener Diode 300mW ±2.08% Surface Mount SOD-323
型号：
MM3Z8V2ST3G
仓库库存编号：
MM3Z8V2ST3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE ZENER 3.425V 300MW SOD323
详细描述：Zener Diode 300mW ±3.07% Surface Mount SOD-323
型号：
MM3Z3V3ST3G
仓库库存编号：
MM3Z3V3ST3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE ZENER 4.3V 250MW SOT23
详细描述：Zener Diode 250mW ±6.98% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
SZBZX84C4V3LT3G
仓库库存编号：
SZBZX84C4V3LT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 100mA 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
BCW30LT1G
仓库库存编号：
BCW30LT1GOSCT-ND
别名：BCW30LT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 110A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100mA 500mW Through Hole TO-92
型号：
BC546A B1G
仓库库存编号：
BC546A B1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 200A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100mA 500mW Through Hole TO-92
型号：
BC546B B1G
仓库库存编号：
BC546B B1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 420A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100mA 500mW Through Hole TO-92
型号：
BC546C B1G
仓库库存编号：
BC546C B1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 110A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 500mW Through Hole TO-92
型号：
BC547A B1G
仓库库存编号：
BC547A B1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）,
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