产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 85A(Tc) 104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7440TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7440TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7440TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7805Q
仓库库存编号:
AUIRF7805Q-ND
别名:SP001522050
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7484Q
仓库库存编号:
AUIRF7484Q-ND
别名:SP001517960
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024Z
仓库库存编号:
AUIRLL024Z-ND
别名:SP001520442
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF5210S
仓库库存编号:
AUIRF5210S-ND
别名:SP001519218
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79
详细描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SC79-2
型号:
BB 659C-02V H7902
仓库库存编号:
BB 659C-02V H7902CT-ND
别名:BB 659C-02V H7902CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
DIODE TUNING 7V 20MA SCD80
详细描述:Varactor Single 7V Surface Mount PG-SCD80-2
型号:
BBY5202WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BBY5202WH6327XTSA1CT-ND
别名:BBY 52-02W H6327CT
BBY 52-02W H6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 30A 115W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH28UD1PBF
仓库库存编号:
IRG7PH28UD1PBF-ND
别名:SP001536202
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 179W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH35UD1MPBF
仓库库存编号:
IRG7PH35UD1MPBF-ND
别名:SP001537510
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A 313W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 1200V 85A 313W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH42UD1MPBF
仓库库存编号:
IRG7PH42UD1MPBF-ND
别名:SP001544976
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 45A(Ta) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH4210TRPBF
仓库库存编号:
IRFH4210TRPBFCT-ND
别名:IRFH4210TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Ta) 3.6W(Ta),96W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH4213DTRPBF
仓库库存编号:
IRFH4213DTRPBFCT-ND
别名:IRFH4213DTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 41A(Ta) 3.6W(Ta),89W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH4213TRPBF
仓库库存编号:
IRFH4213TRPBFCT-ND
别名:IRFH4213TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta) 3.5W(Ta),27W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH4234TRPBF
仓库库存编号:
IRFH4234TRPBFCT-ND
别名:IRFH4234TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 28A(Ta) 2.7W(Ta),39W(Tc)
型号:
IRFHM4226TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4226TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4226TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 20A(Ta) 2.8W(Ta),28W(Tc)
型号:
IRFHM4234TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4234TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4234TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R950CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R950CEBKMA1-ND
别名:IPU50R950CE
IPU50R950CE-ND
SP001022956
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6
仓库库存编号:
IPD60R600P6CT-ND
别名:IPD60R600P6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K0C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K0C6BKMA1-ND
别名:SP000931528
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6BKMA1-ND
别名:SP000931532
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS2002GTRPBF
仓库库存编号:
IRLMS2002GTRPBFCT-ND
别名:IRLMS2002GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 30A 115W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH28UD1MPBF
仓库库存编号:
IRG7PH28UD1MPBF-ND
别名:SP001532764
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 2.7W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM4231TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4231TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4231TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)
型号:
IRFH4255DTRPBF
仓库库存编号:
IRFH4255DTRPBFCT-ND
别名:IRFH4255DTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 179W TO247
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 179W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH35UD1-EP
仓库库存编号:
IRG7PH35UD1-EP-ND
别名:SP001541578
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