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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta），105A（Tc） 3.6W（Ta），52W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRLH6224TR2PBF
  仓库库存编号：IRLH6224TR2PBFCT-ND
  别名：IRLH6224TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7107TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7107TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7107TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.4A（Ta），45A（Tc） 76W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC205N10LS G
  仓库库存编号：BSC205N10LS GCT-ND
  别名：BSC205N10LS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC240N12NS3 G
  仓库库存编号：BSC240N12NS3 GCT-ND
  别名：BSC240N12NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC882N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC882N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC882N03MS GCT
  BSC882N03MS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 19A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC883N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC883N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC883N03MS GCT
  BSC883N03MS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 17A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC884N03MS G
  仓库库存编号：BSC884N03MS GCT-ND
  别名：BSC884N03MS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03LS GCT
  BSC889N03LS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 44A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03MS GCT
  BSC889N03MS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125L6433HTMA1
  仓库库存编号：BSP125L6433HTMA1CT-ND
  别名：BSP125 L6433CT
  BSP125 L6433CT-ND
  BSP125L6433
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP135L6433HTMA1
  仓库库存编号：BSP135L6433HTMA1CT-ND
  别名：BSP135 L6433CT
  BSP135 L6433CT-ND
  BSP135L6433
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320SL6433HTMA1
  仓库库存编号：BSP320SL6433HTMA1CT-ND
  别名：BSP320S L6433CT
  BSP320S L6433CT-ND
  BSP320SL6433
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R520CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R520CPATMA1CT-ND
  别名：IPB60R520CPCT
  IPB60R520CPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R520C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R520C6BTMA1CT
  IPD60R520C6CT
  IPD60R520C6CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R520CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R520CPCT
  IPD60R520CPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R600CPCT
  IPD60R600CPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD314SPEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSD314SPEL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSD314SPE L6327CT
  BSD314SPE L6327CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD816SNL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSD816SNL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSD816SN L6327CT
  BSD816SN L6327CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.1A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL207NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL207NL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL207N L6327CT
  BSL207N L6327CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL308PEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL308PEL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL308PE L6327CT
  BSL308PE L6327CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL806NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL806NL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL806N L6327CT
  BSL806N L6327CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP299L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP299L6327HUSA1CT-ND
  别名：BSP299 L6327CT
  BSP299 L6327CT-ND
  BSP299L6327
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP324L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP324L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP324 L6327CT
  BSP324 L6327CT-ND
  BSP324L6327
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS159NL6906HTSA1
  仓库库存编号：BSS159NL6906HTSA1CT-ND
  别名：BSS159N L6906CT
  BSS159N L6906CT-ND
  BSS159NL6906
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169L6906HTSA1
  仓库库存编号：BSS169L6906HTSA1CT-ND
  别名：BSS169 L6906CT
  BSS169 L6906CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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