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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 23A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30U-STRRP
  仓库库存编号：IRG4BC30U-STRRPCT-ND
  别名：IRG4BC30U-STRRPCT
  IRG4BC30USTRRP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 22A 66W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 22A 66W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC20FTRLPBF
  仓库库存编号：IRG4RC20FTRLPBFCT-ND
  别名：IRG4RC20FTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：SI3443DVTRPBF
  仓库库存编号：SI3443DVTRPBFCT-ND
  别名：SI3443DVTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  DIODE TUNING 30V 20MA SCD80
  详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
  
  型号：BB857H7902XTSA1
  仓库库存编号：BB857H7902XTSA1CT-ND
  别名：BB 857 H7902CT
  BB 857 H7902CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM830DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM830DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM830DTR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM830TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM830TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM830TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM831TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM831TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM831TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRLHM620TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHM620TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHM620TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRLHM630TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHM630TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHM630TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 14A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0908NSATMA1
  仓库库存编号：BSC0908NSATMA1CT-ND
  别名：BSC0908NSCT
  BSC0908NSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R2K0C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K0C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R2K0C6CT
  IPD60R2K0C6CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R750E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R750E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R750E6BTMA1CT
  IPD60R750E6CT
  IPD60R750E6CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta），13A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRFHS9301TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS9301TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS9301TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 9.9A（Ta），21A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRFHS8242TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS8242TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS8242TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.4W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
  
  型号：IRFHS9351TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS9351TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS9351TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRFHS8342TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHS8342TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHS8342TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
  
  型号：IRLHS6276TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHS6276TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHS6276TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR5505
  仓库库存编号：AUIRFR5505-ND
  别名：SP001519564
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 34A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：AUIRG4BC30S-S
  仓库库存编号：AUIRG4BC30S-S-ND
  别名：SP001511470
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9332PBF
  仓库库存编号：IRF9332PBF-ND
  别名：SP001563824
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9392PBF
  仓库库存编号：IRF9392PBF-ND
  别名：SP001577592
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 22A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），105W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5204TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5204TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5204TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5A（Ta），27A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5215TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5215TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5215TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.8A（Ta），20A（Tc） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5220TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5220TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5220TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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