产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF8910GTRPBF
仓库库存编号：
IRF8910GTRPBFCT-ND
别名：IRF8910GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 21A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5006TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5006TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5006TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 17A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5007TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5007TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5007TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5010TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5010TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5010TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 21A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5106TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5106TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5106TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta），63A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5110TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5110TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5110TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Ta），89A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5206TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5206TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5206TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 13A（Ta），71A（Tc） 3.6W（Ta），105W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5207TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5207TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5207TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Ta），55A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5210TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5210TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5210TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11A（Ta），40A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5406TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5406TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5406TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH6200TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH6200TR2PBFCT-ND
别名：IRFH6200TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 28A 2.4W, 3.4W Surface Mount PQFN (5x6)
型号：
IRFH7911TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7911TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7911TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta），76A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7934TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7934TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7934TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta），24A（Tc） 2.8W（Ta） PQFN（3x3）
型号：
IRFHM9331TR2PBF
仓库库存编号：
IRFHM9331TR2PBFCT-ND
别名：IRFHM9331TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC30F-STRLP
仓库库存编号：
IRG4BC30F-STRLPCT-ND
别名：IRG4BC30F-STRLPCT
IRG4BC30FSTRLP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRLH5034TR2PBF
仓库库存编号：
IRLH5034TR2PBFCT-ND
别名：IRLH5034TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRLH5036TR2PBF
仓库库存编号：
IRLH5036TR2PBFCT-ND
别名：IRLH5036TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 70A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC50SDPBF
仓库库存编号：
IRG4PC50SDPBF-ND
别名：SP001537214
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.8A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） 8-QFN
型号：
IRFH5025TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5025TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5025TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF1902TRPBF
仓库库存编号：
IRF1902TRPBFCT-ND
别名：IRF1902TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5800TRPBF
仓库库存编号：
IRF5800TRPBFCT-ND
别名：IRF5800TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF5803D2TRPBF
仓库库存编号：
IRF5803D2TRPBFCT-ND
别名：IRF5803D2TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5804TRPBF
仓库库存编号：
IRF5804TRPBFCT-ND
别名：IRF5804TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
IRF5810TRPBF
仓库库存编号：
IRF5810TRPBFCT-ND
别名：IRF5810TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
IRF5850TRPBF
仓库库存编号：
IRF5850TRPBFCT-ND
别名：IRF5850TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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