产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(24622)
二极管 - 桥式整流器
(2994)
二极管 - 射频
(34)
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
(173)
二极管 - 齐纳 - 阵列
(32)
二极管 - 齐纳 - 单
(707)
晶闸管 - SCR - 模块
(6)
晶闸管 - TRIAC
(1)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(323)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(93)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(2992)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(2014)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(13335)
晶体管 - IGBT - 阵列
(15)
晶体管 - IGBT - 模块
(120)
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
(1543)
晶体管 - JFET
(240)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(977)
Analog Devices Inc.(8)
Bourns Inc.(6)
Central Semiconductor Corp(40)
Comchip Technology(375)
Cree/Wolfspeed(23)
Diodes Incorporated(2470)
Fairchild/Micross Components(3)
Fairchild/ON Semiconductor(3813)
GeneSiC Semiconductor(248)
Global Power Technologies Group(163)
Infineon Technologies(2769)
IXYS(2092)
Micro Commercial Co(369)
Microchip Technology(181)
Microsemi Corporation(679)
Nexperia USA Inc.(325)
NXP USA Inc.(156)
ON Semiconductor(2161)
Powerex Inc.(2)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(55)
Sanken(2)
Semtech Corporation(76)
SMC Diode Solutions(248)
STMicroelectronics(1052)
Taiwan Semiconductor Corporation(2068)
Texas Instruments(206)
Toshiba Semiconductor and Storage(11)
Transphorm(11)
Trinamic Motion Control GmbH(4)
TT Electronics/Optek Technology(6)
Vicor Corporation(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(772)
Vishay Siliconix(3249)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
IGBT 600V 27A 138W TO263-3
详细描述：IGBT NPT 600V 27A 138W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
SKB15N60HSATMA1
仓库库存编号：
SKB15N60HSATMA1TR-ND
别名：SKB15N60HS
SKB15N60HS-ND
SP000014221
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 6A 30W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 6A 30W Through Hole PG-TO220-3
型号：
SKP02N60XKSA1
仓库库存编号：
SKP02N60XKSA1-ND
别名：SKP02N60
SKP02N60-ND
SP000683136
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 9.4A 50W Through Hole PG-TO220-3
型号：
SKP04N60XKSA1
仓库库存编号：
SKP04N60XKSA1-ND
别名：SKP04N60
SKP04N60-ND
SP000683138
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 68W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 12A 68W Through Hole PG-TO220-3
型号：
SKP06N60XKSA1
仓库库存编号：
SKP06N60XKSA1-ND
别名：SKP06N60
SKP06N60-ND
SP000683140
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 92W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 20A 92W Through Hole PG-TO220-3
型号：
SKP10N60AXKSA1
仓库库存编号：
SKP10N60AXKSA1-ND
别名：SKP10N60A
SKP10N60A-ND
SP000683144
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 139W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 31A 139W Through Hole PG-TO220-3
型号：
SKP15N60XKSA1
仓库库存编号：
SKP15N60XKSA1-ND
别名：SKP15N60
SKP15N60-ND
SP000683146
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 16.5A 125W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 16.5A 125W Through Hole PG-TO247-3
型号：
SKW07N120FKSA1
仓库库存编号：
SKW07N120FKSA1-ND
别名：SKW07N120
SKW07N120-ND
SP000012569
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO247-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO247-3
型号：
SKW15N120FKSA1
仓库库存编号：
SKW15N120FKSA1-ND
别名：SKW15N120
SKW15N120-ND
SP000012570
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 179W TO247-3
详细描述：IGBT NPT 600V 40A 179W Through Hole PG-TO247-3
型号：
SKW20N60FKSA1
仓库库存编号：
SKW20N60FKSA1-ND
别名：SKW20N60
SKW20N60-ND
SP000012483
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 36A 178W TO247-3
详细描述：IGBT NPT 600V 36A 178W Through Hole PG-TO247-3
型号：
SKW20N60HSFKSA1
仓库库存编号：
SKW20N60HSFKSA1-ND
别名：SKW20N60HS
SKW20N60HS-ND
SP000013772
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
详细描述：IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号：
SKW30N60HSFKSA1
仓库库存编号：
SKW30N60HSFKSA1-ND
别名：SKW30N60HS
SKW30N60HS-ND
SP000013744
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R600CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R600CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R600CPCT
IPB60R600CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 8.7A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
型号：
IRFI4019HG-117P
仓库库存编号：
IRFI4019HG-117P-ND
别名：IRFI4019HG117P
SP001578094
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 180W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 1200V 30A 180W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG7PH30K10DPBF
仓库库存编号：
IRG7PH30K10DPBF-ND
别名：SP001549446
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 179W TO247
详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 179W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG7PH35UD1PBF
仓库库存编号：
IRG7PH35UD1PBF-ND
别名：SP001545878
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A 313W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 1200V 85A 313W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG7PH42UD1PBF
仓库库存编号：
IRG7PH42UD1PBF-ND
别名：SP001544966
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 14V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7220GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7220GTRPBFCT-ND
别名：IRF7220GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7406GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7406GTRPBFCT-ND
别名：IRF7406GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7413GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7413GTRPBFCT-ND
别名：IRF7413GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7413ZGTRPBF
仓库库存编号：
IRF7413ZGTRPBFCT-ND
别名：IRF7413ZGTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7424GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7424GTRPBFCT-ND
别名：IRF7424GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） 8-uSMD
型号：
IRF7524D1GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7524D1GTRPBFCT-ND
别名：IRF7524D1GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7811WGTRPBF
仓库库存编号：
IRF7811WGTRPBFCT-ND
别名：IRF7811WGTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8113GTRPBF
仓库库存编号：
IRF8113GTRPBFCT-ND
别名：IRF8113GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7.8A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF8852TRPBF
仓库库存编号：
IRF8852TRPBFCT-ND
别名：IRF8852TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
972
973
974
975
976
977
978
979
980
981
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
