产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8721GPBF
仓库库存编号：
IRF8721GPBF-ND
别名：SP001555790
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），110W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5301TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5301TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5301TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5302TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5302TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5302TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），44A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5306TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5306TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5306TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 45A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5250TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5250TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5250TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5300TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5300TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5300TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 104W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH1825AL,115
仓库库存编号：
PH1825AL,115-ND
别名：934063226115
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BSD235C L6327
仓库库存编号：
BSD235C L6327CT-ND
别名：BSD235C L6327CT
BSD235CL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL214NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL214NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL214N L6327CT
BSL214N L6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL316CL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL316CL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL316C L6327CT
BSL316C L6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO130N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO130N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO130N03MS GCT
BSO130N03MS GCT-ND
BSO130N03MSG
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS215PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS215PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS215P L6327CT
BSS215P L6327CT-ND
BSS215PL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS315P L6327CT
BSS315P L6327CT-ND
BSS315PL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.9A（Ta），12.5A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC200P03LSGAUMA1
仓库库存编号：
BSC200P03LSGAUMA1CT-ND
别名：BSC200P03LS GINCT
BSC200P03LS GINCT-ND
BSC200P03LSG
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD214SN L6327
仓库库存编号：
BSD214SN L6327INCT-ND
别名：BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BSD235N L6327
仓库库存编号：
BSD235N L6327INCT-ND
别名：BSD235N L6327INCT
BSD235NL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL205NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL205NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL205N L6327INCT
BSL205N L6327INCT-ND
BSL205NL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL215CL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL215CL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL215C L6327INCT
BSL215C L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL215PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL215PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL215P L6327INCT
BSL215P L6327INCT-ND
BSL215PL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL302SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL302SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL302SN L6327INCT
BSL302SN L6327INCT-ND
BSL302SNL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL306NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL306NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL306N L6327INCT
BSL306N L6327INCT-ND
BSL306NL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL315P L6327INCT
BSL315P L6327INCT-ND
BSL315PL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 7.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL802SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL802SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL802SN L6327INCT
BSL802SN L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03SNTMA1
仓库库存编号：
BSO080P03SNTMA1CT-ND
别名：BSO080P03SINCT
BSO080P03SINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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