产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS50R520CP
仓库库存编号：
IPS50R520CP-ND
别名：SP000236067
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R250CP
仓库库存编号：
IPW60R250CP-ND
别名：IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W L6327
仓库库存编号：
SN7002W L6327-ND
别名：SP000245414
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W L6433
仓库库存编号：
SN7002W L6433-ND
别名：SP000245413
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000229994
SP000680990
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI15N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264433
SP000681000
SPI15N60CFD
SPI15N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI20N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000229995
SP000681008
SPI20N60CFD
SPI20N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP07N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264424
SP000681032
SPP07N60CFD
SPP07N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP15N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP15N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264425
SPP15N60CFD
SPP15N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP15N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP15N65C3HKSA1-ND
别名：SP000294824
SP000681054
SPP15N65C3
SPP15N65C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 21.7A（Tc） 240W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP24N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP24N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264426
SP000681070
SPP24N60CFD
SPP24N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS01N60C3
仓库库存编号：
SPS01N60C3-ND
别名：SP000235876
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS02N60C3
仓库库存编号：
SPS02N60C3-ND
别名：SP000235878
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS04N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPS04N60C3BKMA1-ND
别名：SP000086711
SP000307419
SPS04N60C3
SPS04N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW07N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW07N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000264430
SPW07N60CFD
SPW07N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP
详细描述：IGBT Trench 600V 11A 33W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGI4045DPBF
仓库库存编号：
IRGI4045DPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP
详细描述：IGBT Trench 600V 14A 37W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGI4060DPBF
仓库库存编号：
IRGI4060DPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），42A（Tc） 2.8W（Ta） 8-PQFN（3x3）
型号：
IRFH3702TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH3702TR2PBFCT-ND
别名：IRFH3702TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7914TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7914TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7914TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），54A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7936TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7936TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7936TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5505GTRPBF
仓库库存编号：
IRFR5505GTRPBFCT-ND
别名：IRFR5505GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 18A 34W TO220FP
详细描述：IGBT Trench 600V 18A 34W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGI4056DPBF
仓库库存编号：
IRGI4056DPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 15A 38W TO220
详细描述：IGBT Trench 600V 15A 38W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGI4064DPBF
仓库库存编号：
IRGI4064DPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP165NQ08T,127
仓库库存编号：
PHP165NQ08T,127-ND
别名：934062188127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8714GPBF
仓库库存编号：
IRF8714GPBF-ND
别名：SP001551628
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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