产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 580mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS209PW L6327
仓库库存编号:
BSS209PW L6327-ND
别名:SP000245422
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS214NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS214NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS214N L6327
BSS214N L6327-ND
SP000440878
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS214NW L6327
仓库库存编号:
BSS214NW L6327-ND
别名:SP000440880
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.3A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS306NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS306NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS306N L6327
BSS306N L6327-ND
SP000442400
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS308PEL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS308PEL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS308PE L6327
BSS308PE L6327-ND
SP000442474
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS316NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS316NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS316N L6327
BSS316N L6327-ND
SP000442416
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2LL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS670S2LL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
SP000247301
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 150mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS84PW L6327
仓库库存编号:
BSS84PW L6327-ND
别名:SP000247312
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 55V, 30V 40A 69W, 96W Surface Mount PG-TO263-5
型号:
BTS7904BATMA1
仓库库存编号:
BTS7904BATMA1TR-ND
别名:BTS7904B
BTS7904B-ND
SP000415554
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 55V, 30V 40A 69W, 96W Surface Mount PG-TO220-5-13
型号:
BTS7904SAKSA1
仓库库存编号:
BTS7904SAKSA1-ND
别名:BTS7904S
BTS7904S-ND
SP000415556
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R520CPXKSA1-ND
别名:IPA60R520CP
IPA60R520CP-ND
SP000405856
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600CPXKSA1-ND
别名:IPA60R600CP
IPA60R600CP-ND
SP000405884
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R399CP
仓库库存编号:
IPD50R399CP-ND
别名:SP000234984
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R520CP
仓库库存编号:
IPD50R520CP-ND
别名:SP000236063
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R140CP
仓库库存编号:
IPI50R140CP-ND
别名:SP000396822
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R350CP
仓库库存编号:
IPI50R350CP-ND
别名:SP000236084
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R250CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R250CPAKSA1-ND
别名:IPI60R250CP
IPI60R250CP-ND
SP000358141
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R520CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R520CPAKSA1-ND
别名:IPI60R520CP
IPI60R520CP-ND
SP000405872
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R600CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R600CPAKSA1-ND
别名:IPI60R600CP
IPI60R600CP-ND
SP000405896
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3-ND
SP000413722
SP000683078
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R250CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R250CPHKSA1-ND
别名:IPP50R250CP
IPP50R250CP-ND
SP000236071
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R520CPXKSA1-ND
别名:IPP60R520CP
IPP60R520CP-ND
SP000405860
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600CPXKSA1-ND
别名:IPP60R600CP
IPP60R600CP-ND
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