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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH52N30Q
  仓库库存编号：IXFH52N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 3-PHA 600V 35A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 600V 35A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-36MT60
  仓库库存编号：36MT60-ND
  别名：*36MT60
  36MT60
  VS-36MT60-ND
  VS36MT60
  VS36MT60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R045CP
  仓库库存编号：IPW60R045CPIN-ND
  别名：IPW60R045CP-ND
  IPW60R045CPFKSA1
  IPW60R045CPIN
  IPW60R045CPXK
  IPW60R045CSX
  SP000067149
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 417W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R120C3
  仓库库存编号：IPW90R120C3-ND
  别名：IPW90R120C3FKSA1
  IPW90R120C3XK
  Q4173182
  SP000413750
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Transphorm
  GAN FET 650V 27A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 104W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3212PS
  仓库库存编号：TPH3212PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX40P50P
  仓库库存编号：IXTX40P50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX90P20P
  仓库库存编号：IXTX90P20P-ND
  别名：620108
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 3-PHA 1200V 35A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 35A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-36MT120
  仓库库存编号：36MT120-ND
  别名：*36MT120
  36MT120
  VS-36MT120-ND
  VS36MT120
  VS36MT120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 108A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR170P10P
  仓库库存编号：IXTR170P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK90N20
  仓库库存编号：IXFK90N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 105A 595W SUPER247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 105A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRGPS60B120KDP
  仓库库存编号：IRGPS60B120KDP-ND
  别名：*IRGPS60B120KDP
  SP001540752
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 168A（Tc） 900W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N25T
  仓库库存编号：IXFN180N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK180N10
  仓库库存编号：IXFK180N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH13N110
  仓库库存编号：IXTH13N110-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 61A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50P
  仓库库存编号：IXFN64N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 75A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 595W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH023N65S3_F155
  仓库库存编号：FCH023N65S3_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX34N80
  仓库库存编号：IXFX34N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NTP8G202NG
  仓库库存编号：NTP8G202NGOS-ND
  别名：NTP8G202NGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N60
  仓库库存编号：IXFK44N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 112A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN132N50P3
  仓库库存编号：IXFN132N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 190A 568W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FB190SA10
  仓库库存编号：VS-FB190SA10-ND
  别名：FB190SA10
  FB190SA10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 30A 160W TO268
  详细描述：IGBT 3000V 30A 160W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT12N300
  仓库库存编号：IXBT12N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK26N120P
  仓库库存编号：IXFK26N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN60N80P
  仓库库存编号：IXFN60N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 250W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N250HV
  仓库库存编号：IXTT1N250HV-ND
  别名：628949
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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