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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 11A 14W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
  
  型号：IRFI4024H-117P
  仓库库存编号：IRFI4024H-117P-ND
  别名：IRFI4024H117P
  SP001566762
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3302STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3302STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 61A（Tc） 89W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3102STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3102STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 85A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3402STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3402STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3502STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3502STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20UDSTRLP
  仓库库存编号：IRG4BC20UDSTRLP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7523D1TRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.3W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7521D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7521D1TRPBF-ND
  别名：SP001555506
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 16A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20K-STRLP
  仓库库存编号：IRG4BC20K-STRLP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7757TRPBF
  仓库库存编号：IRF7757TRPBF-ND
  别名：SP001566434
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 2.2W（Ta） 4-FlipFet?
  
  型号：IRF6100PBF
  仓库库存编号：IRF6100PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），78W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BS7067N06LS3G
  仓库库存编号：BS7067N06LS3GINCT-ND
  别名：BS7067N06LS3GINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002T,215
  仓库库存编号：2N7002T,215-ND
  别名：2N7002T T/R
  2N7002T T/R-ND
  934055796215
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.51W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7706GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7706GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7706GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7707GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7707GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7707GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7704GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7704GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7704GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7705GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7705GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7705GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7751TRPBF
  仓库库存编号：IRF7751TRPBFCT-ND
  别名：IRF7751TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7756TRPBF
  仓库库存编号：IRF7756TRPBFCT-ND
  别名：IRF7756TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7702TRPBF
  仓库库存编号：IRF7702TRPBFCT-ND
  别名：IRF7702TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7703TRPBF
  仓库库存编号：IRF7703TRPBFCT-ND
  别名：IRF7703TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7750TRPBF
  仓库库存编号：IRF7750TRPBFCT-ND
  别名：IRF7750TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 110mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS131L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS131L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS131 L6327
  BSS131 L6327-ND
  BSS131L6327XT
  Q4284473
  SP000247293
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45.8A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 45.8A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH1875L,115
  仓库库存编号：PH1875L,115-ND
  别名：934059871115
  PH1875L T/R
  PH1875L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 63A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH9030L,115
  仓库库存编号：PH9030L,115-ND
  别名：934061644115
  PH9030L T/R
  PH9030L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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