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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS84PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS84PL6327
  BSS84PL6327INCT
  BSS84PL6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS84PW
  仓库库存编号：BSS84PWINCT-ND
  别名：BSS84PWINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS87L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS87L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS87L6327
  BSS87L6327INCT
  BSS87L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002W E6327
  仓库库存编号：SN7002WE6327INCT-ND
  别名：SN7002WE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB03N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB03N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB03N60S5INCT
  SPB03N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB04N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB04N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB04N60S5INCT
  SPB04N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB07N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB07N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB07N60S5INCT
  SPB07N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB11N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB11N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB11N60S5INCT
  SPB11N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB20N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB20N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB20N60S5INCT
  SPB20N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD01N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD01N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD01N60C3INCT
  SPD01N60C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60S5INCT
  SPD02N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3INCT
  SPD02N80C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD03N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD03N60S5INCT
  SPD03N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N60S5
  仓库库存编号：SPD04N60S5INCT-ND
  别名：SPD04N60S5INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD04N80C3INCT
  SPD04N80C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.8A（Tc） 2.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN50XP,165
  仓库库存编号：PMN50XP,165-ND
  别名：934058528165
  PMN50XP /T2
  PMN50XP /T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80
  详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
  
  型号：BB 857 E7902
  仓库库存编号：BB857E7902INCT-ND
  别名：BB857E7902
  BB857E7902INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），95A（Tc） 2.8W（Ta），62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03S G
  仓库库存编号：BSC042N03SGINCT-ND
  别名：BSC042N03SG
  BSC042N03SGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP149L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP149L6327
  BSP149L6327INCT
  BSP149L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R385CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R385CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R385CPINCT
  IPD60R385CPINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.6A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP318SL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP318SL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP318SL6327
  BSP318SL6327INCT
  BSP318SL6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 66A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH9025L,115
  仓库库存编号：PH9025L,115-ND
  别名：934061158115
  PH9025L T/R
  PH9025L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3711STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3711STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7555TRPBF
  仓库库存编号：IRF7555TRPBFCT-ND
  别名：IRF7555TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7603TRPBF
  仓库库存编号：IRF7603TRPBFCT-ND
  别名：IRF7603TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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