产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60C3 E6433
仓库库存编号:
SPN02N60C3 E6433-ND
别名:SP000101883
SPN02N60C3E6433XT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60S5
仓库库存编号:
SPN02N60S5-ND
别名:SP000012412
SP000101880
SPN02N60S5T
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 700mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN03N60C3
仓库库存编号:
SPN03N60C3-ND
别名:SP000014455
SP000101879
SPN03N60C3T
SPN03N60C3XT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 700mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN03N60S5
仓库库存编号:
SPN03N60S5-ND
别名:SP000012413
SP000101881
SPN03N60S5T
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 800mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN04N60S5
仓库库存编号:
SPN04N60S5-ND
别名:SP000012414
SP000101882
SPN04N60S5T
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP02N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP02N60S5HKSA1-ND
别名:SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5
SPP02N60S5-ND
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5IN-ND
SPP02N60S5X
SPP02N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP04N60S5BKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60S5BKSA1-ND
别名:SP000012363
SP000681026
SPP04N60S5
SPP04N60S5-ND
SPP04N60S5IN
SPP04N60S5IN-ND
SPP04N60S5X
SPP04N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP07N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014631
SPP07N65C3
SPP07N65C3-ND
SPP07N65C3IN
SPP07N65C3IN-ND
SPP07N65C3X
SPP07N65C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681042
SPP11N60CFD
SPP11N60CFD-ND
SPP11N60CFDIN
SPP11N60CFDIN-ND
SPP11N60CFDX
SPP11N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP20N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014369
SPP20N65C3
SPP20N65C3-ND
SPP20N65C3IN
SPP20N65C3IN-ND
SPP20N65C3X
SPP20N65C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 24.3A(Tc) 240W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP24N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP24N60C3HKSA1-ND
别名:SPP24N60C3
SPP24N60C3-ND
SPP24N60C3IN
SPP24N60C3IN-ND
SPP24N60C3X
SPP24N60C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU02N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU02N60S5BKMA1-ND
别名:SPU02N60S5
SPU02N60S5-ND
SPU02N60S5IN
SPU02N60S5IN-ND
SPU02N60S5X
SPU02N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU04N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU04N60S5BKMA1-ND
别名:SP000012424
SPU04N60S5
SPU04N60S5-ND
SPU04N60S5IN
SPU04N60S5IN-ND
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SPU04N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU07N60S5
仓库库存编号:
SPU07N60S5IN-ND
别名:SPU07N60S5-ND
SPU07N60S5IN
SPU07N60S5X
SPU07N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60S5FKSA1
仓库库存编号:
SPW11N60S5FKSA1-ND
别名:SP000012462
SPW11N60S5
SPW11N60S5-ND
SPW11N60S5IN
SPW11N60S5IN-ND
SPW11N60S5X
SPW11N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW17N80C3A
仓库库存编号:
SPW17N80C3A-ND
别名:SP000101842
SPW17N80C3AX
SPW17N80C3AXK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 390MA SC75
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 390mA(Ta) 250mW(Ta) PG-SC-75
型号:
BSA223SP
仓库库存编号:
BSA223SPINCT-ND
别名:BSA223SPINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N025S G
仓库库存编号:
BSC020N025SGINCT-ND
别名:BSC020N025SG
BSC020N025SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 24A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC029N025S G
仓库库存编号:
BSC029N025SGINCT-ND
别名:BSC029N025SG
BSC029N025SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),89A(Tc) 2.8W(Ta),63W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC048N025S G
仓库库存编号:
BSC048N025SGINCT-ND
别名:BSC048N025SG
BSC048N025SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.5A(Ta),73A(Tc) 17.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC059N03S G
仓库库存编号:
BSC059N03SGINCT-ND
别名:BSC059N03SG
BSC059N03SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.9A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC119N03S G
仓库库存编号:
BSC119N03SGINCT-ND
别名:BSC119N03SG
BSC119N03SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.7A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL211SPL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL211SPL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL211SPL6327INCT
BSL211SPL6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL307SPL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL307SPL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL307SPL6327INCT
BSL307SPL6327INCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO052N03S
仓库库存编号:
BSO052N03SINCT-ND
别名:BSO052N03SINCT
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