产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6327
仓库库存编号：
BSS126 E6327-ND
别名：BSS126E6327XT
SP000055447
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6906
仓库库存编号：
BSS126 E6906-ND
别名：BSS126E6906XT
SP000055448
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127 E6327
仓库库存编号：
BSS127 E6327-ND
别名：BSS127 E6327
BSS127 E6327-ND
BSS127E6327XT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138N E6433
仓库库存编号：
BSS138N E6433-ND
别名：BSS138NE6433XT
SP000014561
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138N E6908
仓库库存编号：
BSS138N E6908-ND
别名：BSS138NE6908T
SP000014564
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138N E7854
仓库库存编号：
BSS138N E7854-ND
别名：BSS138NE7854XT
SP000014562
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138N E8004
仓库库存编号：
BSS138N E8004-ND
别名：BSS138NE8004XT
SP000014563
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W E6433
仓库库存编号：
BSS138W E6433-ND
别名：BSS138WE6433
SP000014284
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139 E6327
仓库库存编号：
BSS139 E6327-ND
别名：BSS139E6327XT
SP000011170
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139 E6906
仓库库存编号：
BSS139 E6906-ND
别名：BSS139E6906XT
SP000055415
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159N E6327
仓库库存编号：
BSS159N E6327-ND
别名：BSS159NE6327XT
SP000014638
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159N E6906
仓库库存编号：
BSS159N E6906-ND
别名：BSS159NE6906XT
SP000055412
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169 E6327
仓库库存编号：
BSS169 E6327-ND
别名：BSS169E6327XT
SP000011172
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169 E6906
仓库库存编号：
BSS169 E6906-ND
别名：BSS169E6906XT
SP000055416
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS225
仓库库存编号：
BSS225-ND
别名：BSS225T
SP000017502
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS225L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS225L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS225 L6327
BSS225 L6327-ND
BSS225L6327XT
SP000095776
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84P E6433
仓库库存编号：
BSS84P E6433-ND
别名：BSS84PE6433XT
SP000012323
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS87 E6433
仓库库存编号：
BSS87 E6433-ND
别名：BSS87E6433T
SP000082233
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
型号：
BTS110NKSA1
仓库库存编号：
BTS110NKSA1-ND
别名：BTS110
BTS110-ND
SP000011184
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
型号：
BTS110E3045ANTMA1
仓库库存编号：
BTS110E3045ANTMA1TR-ND
别名：BTS110 E3045A
BTS110 E3045A-ND
BTS110E3045AT
SP000011183
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
型号：
BTS113ANKSA1
仓库库存编号：
BTS113ANKSA1-ND
别名：BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
型号：
BTS113AE3045ANTMA1
仓库库存编号：
BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
别名：BTS113A E3045A
BTS113A E3045A-ND
BTS113AE3045AT
SP000011188
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
型号：
BTS113AE3064NKSA1
仓库库存编号：
BTS113AE3064NKSA1-ND
别名：BTS113A E3064
BTS113A E3064-ND
BTS113AE3064
SP000011189
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ30A E3045A
仓库库存编号：
BUZ30A E3045A-ND
别名：BUZ30AE3045AT
SP000011337
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31
仓库库存编号：
BUZ31IN-ND
别名：BUZ31-ND
BUZ31IN
BUZ31X
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