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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT90P10P
  仓库库存编号：IXTT90P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT48P20P
  仓库库存编号：IXTT48P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 32A 190W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1700V 32A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH16N170
  仓库库存编号：IXGH16N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT13F120B
  仓库库存编号：APT13F120B-ND
  别名：APT13F120BMI
  APT13F120BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Transphorm
  GAN FET 650V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3208PS
  仓库库存编号：TPH3208PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296190
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH7P50
  仓库库存编号：IXTH7P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 77A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 592W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH041N60E
  仓库库存编号：FCH041N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IPW65R045C7FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R045C7FKSA1-ND
  别名：SP000929412
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 68.5A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R041CFD
  仓库库存编号：IPW65R041CFD-ND
  别名：IPW65R041CFDFKSA1
  SP000756288
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 890W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH80N65X2
  仓库库存编号：IXFH80N65X2-ND
  别名：632463
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R045C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R045C7XKSA1-ND
  别名：SP000929422
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 25A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 600V 25A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-26MT60
  仓库库存编号：26MT60-ND
  别名：*26MT60
  26MT60
  VS-26MT60-ND
  VS26MT60
  VS26MT60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 2500V 5A 32W TO247
  详细描述：IGBT 2500V 5A 32W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH2N250
  仓库库存编号：IXBH2N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77.5A（Tc） 481W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R041C6
  仓库库存编号：IPW60R041C6-ND
  别名：IPW60R041C6FKSA1
  SP000718886
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Transphorm
  GAN FET 650V 20A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3208LS
  仓库库存编号：TPH3208LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 40A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT 1700V 40A 250W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH16N170
  仓库库存编号：IXBH16N170-ND
  别名：Q1143876
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX98N50P3
  仓库库存编号：IXFX98N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 80A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK80N60P3
  仓库库存编号：IXFK80N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247
  
  型号：IPZ65R045C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ65R045C7XKSA1-ND
  别名：SP001024004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
  详细描述：通孔 P 沟道 750mA（Tj） 360mW（Tc） TO-39
  
  型号：VP2206N2
  仓库库存编号：VP2206N2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 3-PHA 100V 35A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 100V 35A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-36MT10
  仓库库存编号：36MT10-ND
  别名：*36MT10
  36MT10
  VS-36MT10-ND
  VS36MT10
  VS36MT10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 68A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 68A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：STW70N60M2
  仓库库存编号：497-14226-5-ND
  别名：497-14226-5
  STW70N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 54.9A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW55N80C3FKSA1
  仓库库存编号：SPW55N80C3FKSA1-ND
  别名：SP000849356
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 143A 625W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264
  
  型号：APT80GA60LD40
  仓库库存编号：APT80GA60LD40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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