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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60C3T
  仓库库存编号：SPD07N60C3XTINCT-ND
  别名：SPD07N60C3XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60S5T
  仓库库存编号：SPD07N60S5XTINCT-ND
  别名：SPD07N60S5XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108,126
  仓库库存编号：BS108,126-ND
  别名：934003840126
  BS108 AMO
  BS108 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108/01,126
  仓库库存编号：BS108/01,126-ND
  别名：934009850126
  BS108/01 AMO
  BS108/01 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254,126
  仓库库存编号：BSN254,126-ND
  别名：934004930126
  BSN254 AMO
  BSN254 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254A,126
  仓库库存编号：BSN254A,126-ND
  别名：934003960126
  BSN254A AMO
  BSN254A AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN304,126
  仓库库存编号：BSN304,126-ND
  别名：934023530126
  BSN304 AMO
  BSN304 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.8A（Tc） 42W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR220,118
  仓库库存编号：IRFR220,118-ND
  别名：934056819118
  IRFR220 /T3
  IRFR220 /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11.6A（Tc） 8.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK12NQ10T,518
  仓库库存编号：PHK12NQ10T,518-ND
  别名：934057347518
  PHK12NQ10T /T3
  PHK12NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK4NQ20T,518
  仓库库存编号：PHK4NQ20T,518-ND
  别名：934057303518
  PHK4NQ20T /T3
  PHK4NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.4A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM12NQ20T,518
  仓库库存编号：PHM12NQ20T,518-ND
  别名：934057302518
  PHM12NQ20T /T3
  PHM12NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17.5A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM15NQ20T,518
  仓库库存编号：PHM15NQ20T,518-ND
  别名：934057304518
  PHM15NQ20T /T3
  PHM15NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 19A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM18NQ15T,518
  仓库库存编号：PHM18NQ15T,518-ND
  别名：934057306518
  PHM18NQ15T /T3
  PHM18NQ15T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 22.2A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM21NQ15T,518
  仓库库存编号：PHM21NQ15T,518-ND
  别名：934057305518
  PHM21NQ15T /T3
  PHM21NQ15T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 30.7A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM25NQ10T,518
  仓库库存编号：PHM25NQ10T,518-ND
  别名：934057309518
  PHM25NQ10T /T3
  PHM25NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 37.6A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM30NQ10T,518
  仓库库存编号：PHM30NQ10T,518-ND
  别名：934057308518
  PHM30NQ10T /T3
  PHM30NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 12.5A（Tc） 31.2W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX18NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX18NQ11T,127-ND
  别名：934057815127
  PHX18NQ11T
  PHX18NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 12.9A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 12.9A（Tc） 23W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX20N06T,127
  仓库库存编号：PHX20N06T,127-ND
  别名：934057814127
  PHX20N06T
  PHX20N06T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 16A（Tc） 41.6W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX23NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX23NQ11T,127-ND
  别名：934058493127
  PHX23NQ11T
  PHX23NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 20.8A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX27NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX27NQ11T,127-ND
  别名：934058494127
  PHX27NQ11T
  PHX27NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 24.8A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 24.8A（Tc） 56.8W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX34NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX34NQ11T,127-ND
  别名：934058495127
  PHX34NQ11T
  PHX34NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 30.4A（Tc） 62.5W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX45NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX45NQ11T,127-ND
  别名：934058293127
  PHX45NQ11T
  PHX45NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 7.5A（Tc） 27.7W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX8NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX8NQ11T,127-ND
  别名：934058496127
  PHX8NQ11T
  PHX8NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 960mA（Ta） 690mW（Tc） 6-TSSOP
  
  型号：PMG370XN,115
  仓库库存编号：PMG370XN,115-ND
  别名：934058291115
  PMG370XN T/R
  PMG370XN T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 550mA（Ta） 530mW（Tc） SC-75
  
  型号：PMR780SN,115
  仓库库存编号：PMR780SN,115-ND
  别名：934057961115
  PMR780SN T/R
  PMR780SN T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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