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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 19A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 19A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20SDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20SDPBF-ND
  别名：*IRG4BC20SDPBF
  SP001541346
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 64A（Tc） 2W（Ta），89W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3103D1PBF
  仓库库存编号：IRL3103D1PBF-ND
  别名：*IRL3103D1PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 19A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 19A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20SD-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20SD-SPBF-ND
  别名：*IRG4BC20SD-SPBF
  SP001535652
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 18A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 18A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20MD-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20MD-SPBF-ND
  别名：*IRG4BC20MD-SPBF
  SP001544850
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 20.3A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRG4IBC30FDPBF
  仓库库存编号：IRG4IBC30FDPBF-ND
  别名：*IRG4IBC30FDPBF
  SP001545734
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3303PBF
  仓库库存编号：IRFU3303PBF-ND
  别名：*IRFU3303PBF
  SP001567700
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 9A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10KPBF
  仓库库存编号：IRG4RC10KPBF-ND
  别名：*IRG4RC10KPBF
  SP001536134
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL1006PBF
  仓库库存编号：IRFL1006PBF-ND
  别名：*IRFL1006PBF
  SP001571088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 1.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF3000PBF
  仓库库存编号：IRF3000PBF-ND
  别名：*IRF3000PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7353D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7353D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7353D1TRPBF
  IRF7353D1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7321D2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7321D2PBFCT-ND
  别名：*IRF7321D2TRPBF
  IRF7321D2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7220TRPBF
  仓库库存编号：IRF7220PBFCT-ND
  别名：*IRF7220TRPBF
  IRF7220PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 85A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3402SPBF
  仓库库存编号：IRL3402SPBF-ND
  别名：SP001568332
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 14A 38W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 14A 38W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC10SDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC10SDPBF-ND
  别名：*IRG4BC10SDPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 16A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20K-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20K-SPBF-ND
  别名：SP001549338
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 14A 38W TO262
  详细描述：IGBT 600V 14A 38W Through Hole TO-262
  
  型号：IRG4BC10SD-LPBF
  仓库库存编号：IRG4BC10SD-LPBF-ND
  别名：*IRG4BC10SD-LPBF
  SP001547684
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 54A（Tc） 2W（Ta），70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3103D2PBF
  仓库库存编号：IRL3103D2PBF-ND
  别名：*IRL3103D2PBF
  
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  IGBT 600V 16A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20FD-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20FD-SPBF-ND
  别名：*IRG4BC20FD-SPBF
  
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  MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3711PBF
  仓库库存编号：IRFU3711PBF-ND
  别名：*IRFU3711PBF
  
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  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811WTRPBF
  仓库库存编号：IRF7811WPBFCT-ND
  别名：*IRF7811WTRPBF
  IRF7811WPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7807VD1PBFCT-ND
  别名：*IRF7807VD1TRPBF
  IRF7807VD1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7322D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7322D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7322D1TRPBF
  IRF7322D1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811ATRPBF
  仓库库存编号：IRF7811APBFCT-ND
  别名：*IRF7811ATRPBF
  IRF7811APBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7464TRPBF
  仓库库存编号：IRF7464PBFCT-ND
  别名：*IRF7464TRPBF
  IRF7464PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7807VD2PBFCT-ND
  别名：*IRF7807VD2TRPBF
  IRF7807VD2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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