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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.7A 2W Surface Mount P-DSO-8
  
  型号：BSO207PNTMA1
  仓库库存编号：BSO207PNTMA1TR-ND
  别名：BSO207P
  BSO207PINTR
  BSO207PINTR-ND
  BSO207PNT
  BSO207PT
  BSO207PT-ND
  SP000012573
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.7A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：BSO215C
  仓库库存编号：BSO215CINTR-ND
  别名：BSO215CINTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO301SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO301SPNTMA1CT-ND
  别名：BSO301SPINCT
  BSO301SPINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.9A（Ta） 2.35W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO303SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO303SPINCT-ND
  别名：BSO303SPINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4410
  仓库库存编号：BSO4410INCT-ND
  别名：BSO4410INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4420
  仓库库存编号：BSO4420INCT-ND
  别名：BSO4420INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：BSO4804
  仓库库存编号：BSO4804INCT-ND
  别名：BSO4804INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4822
  仓库库存编号：BSO4822INCT-ND
  别名：BSO4822INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8
  
  型号：BSO612CV
  仓库库存编号：BSO612CVINCT-ND
  别名：BSO612CVINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO615N
  仓库库存编号：BSO615NINCT-ND
  别名：BSO615NINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327
  仓库库存编号：BSP170PE6327INCT-ND
  别名：BSP170PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327
  仓库库存编号：BSP171PE6327INCT-ND
  别名：BSP171PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327
  仓库库存编号：BSP316PE6327INCT-ND
  别名：BSP316PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PE6327
  仓库库存编号：BSP317PE6327INCT-ND
  别名：BSP317PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327
  仓库库存编号：BSS192PE6327INCT-ND
  别名：BSS192PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 580mA（Ta） 520mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS209PW
  仓库库存编号：BSS209PWINCT-ND
  别名：BSS209PWINCT
  BSS209PWXTINCT
  BSS209PWXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 390mA（Ta） 250mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS223PW L6327
  仓库库存编号：BSS223PWINCT-ND
  别名：BSS223PWINCT
  BSS223PWXTINCT
  BSS223PWXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS670S2L
  仓库库存编号：BSS670S2LINCT-ND
  别名：BSS670S2LINCT
  BSS670S2LXTINCT
  BSS670S2LXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS83PE6327
  仓库库存编号：BSS83PE6327INCT-ND
  别名：BSS83PE6327INCT
  BSS83PE6327XTINCT
  BSS83PE6327XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 560mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSV236SP L6327
  仓库库存编号：BSV236SPINCT-ND
  别名：BSV236SPINCT
  BSV236SPXTINCT
  BSV236SPXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60C3ATMA1TR-ND
  别名：SP000013516
  SPB02N60C3
  SPB02N60C3INTR
  SPB02N60C3INTR-ND
  SPB02N60C3XT
  SPB02N60C3XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB03N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB03N60C3ATMA1CT-ND
  别名：SPB03N60C3INCT
  SPB03N60C3INCT-ND
  SPB03N60C3XTINCT
  SPB03N60C3XTINCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N50C3
  仓库库存编号：SPD02N50C3INTR-ND
  别名：SP000014476
  SPD02N50C3INTR
  SPD02N50C3XT
  SPD02N50C3XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60C3INCT
  SPD02N60C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD04N60C3INCT
  SPD04N60C3INCT-ND
  SPD04N60C3XTINCT
  SPD04N60C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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