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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A 463W TO247
  详细描述：IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
  
  型号：HGTG30N60A4
  仓库库存编号：HGTG30N60A4-ND
  别名：HGTG30N60A4_NL
  HGTG30N60A4_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 400V 35A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB40A
  仓库库存编号：36MB40A-ND
  别名：*36MB40A
  36MB40A
  VS-36MB40A-ND
  VS36MB40A
  VS36MB40A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 694W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH110N25T
  仓库库存编号：IXTH110N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ60N50P3
  仓库库存编号：IXFQ60N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA6N120P
  仓库库存编号：IXFA6N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH50UDPBF
  仓库库存编号：IRG4PH50UDPBF-ND
  别名：*IRG4PH50UDPBF
  SP001542126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP27N60KPBF
  仓库库存编号：IRFP27N60KPBF-ND
  别名：*IRFP27N60KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R045C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R045C7ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R045C7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 446W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS37N50APBF
  仓库库存编号：IRFPS37N50APBF-ND
  别名：*IRFPS37N50APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 298W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA62N25C
  仓库库存编号：FQA62N25CFS-ND
  别名：FQA62N25C-ND
  FQA62N25CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 57.7A（Tc） 480.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R074C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R074C6XKSA1-ND
  别名：SP000898652
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 43.3A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R080CFD
  仓库库存编号：IPW65R080CFD-ND
  别名：IPW65R080CFDFKSA1
  SP000745036
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1200V 35A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB120A
  仓库库存编号：36MB120A-ND
  别名：*36MB120A
  36MB120A
  VS-36MB120A-ND
  VS-36MB120AL
  VS36MB120A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF40N60M2
  仓库库存编号：497-14193-5-ND
  别名：497-14193-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 160A 250W TO264
  详细描述：IGBT 600V 160A 250W Through Hole TO-264
  
  型号：SGL160N60UFDTU
  仓库库存编号：SGL160N60UFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） TO-247-4L
  
  型号：C3M0120100K
  仓库库存编号：C3M0120100K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 57.7A（Tc） 480.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R074C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R074C6XKSA1-ND
  别名：SP000898650
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 20A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20P50P
  仓库库存编号：IXTH20P50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N100
  仓库库存编号：IXFH6N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW40N60M2
  仓库库存编号：497-15538-5-ND
  别名：497-15538-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF25N80K5
  仓库库存编号：497-13644-5-ND
  别名：497-13644-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10P60
  仓库库存编号：IXTH10P60-ND
  别名：Q1152201
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N60P
  仓库库存编号：IXFH36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 300W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 1200V 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH30N120B3D1
  仓库库存编号：IXGH30N120B3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N20
  仓库库存编号：IXFH50N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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