产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 41A 250W TO263
详细描述:IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole TO-220AB
型号:
SGP30N60XKSA1
仓库库存编号:
SGP30N60XKSA1-ND
别名:SGP30N60
SGP30N60IN
SGP30N60IN-ND
SP000683130
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名:SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N60S5
仓库库存编号:
SPP07N60S5IN-ND
别名:SPP07N60S5BKSA1
SPP07N60S5IN
SPP07N60S5X
SPP07N60S5XTIN
SPP07N60S5XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60S5HKSA1-ND
别名:SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60S5
仓库库存编号:
SPP20N60S5IN-ND
别名:SPP20N60S5BKSA1
SPP20N60S5IN
SPP20N60S5X
SPP20N60S5XTIN
SPP20N60S5XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60S5FKSA1
仓库库存编号:
SPW20N60S5FKSA1-ND
别名:SPW20N60S5
SPW20N60S5IN
SPW20N60S5IN-ND
SPW20N60S5X
SPW20N60S5XTIN
SPW20N60S5XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119E6327
仓库库存编号:
BSS119INCT-ND
别名:BSS119INCT
BSS119XTINCT
BSS119XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 370mA(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP123L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP123L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP123INCT
BSP123INCT-ND
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129E6327
仓库库存编号:
BSP129INCT-ND
别名:BSP129INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327
仓库库存编号:
BSP295INCT-ND
别名:BSP295INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296E6327
仓库库存编号:
BSP296INCT-ND
别名:BSP296INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315P-E6327
仓库库存编号:
BSP315PINCT-ND
别名:BSP315PE6327
BSP315PINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.7W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP88E6327
仓库库存编号:
BSP88INCT-ND
别名:BSP88INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS123E6327
仓库库存编号:
BSS123INCT-ND
别名:BSS123INCT
BSS123XTINCT
BSS123XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 110mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS131E6327
仓库库存编号:
BSS131INCT-ND
别名:BSS131INCT
BSS131XTINCT
BSS131XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N-E6327
仓库库存编号:
BSS138NEINCT-ND
别名:BSS138INCT
BSS138INCT-ND
BSS138NE6327
BSS138NEINCT
BSS138NEXTINCT
BSS138NEXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P-E6327
仓库库存编号:
BSS84PINCT-ND
别名:BSS84PE6327
BSS84PINCT
BSS84PXTINCT
BSS84PXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89-4-2
型号:
BSS87E6327
仓库库存编号:
BSS87INCT-ND
别名:BSS87INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N60S5
仓库库存编号:
SPD07N60S5INCT-ND
别名:SPD07N60S5INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
DIODE VARACTOR 30V SOD-323
详细描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SOD323-2
型号:
BB535E7908HTSA1
仓库库存编号:
BB535E7908HTSA1CT-ND
别名:BB535INCT
BB535INCT-ND
BB535XTINCT
BB535XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VARACTOR 30V SOD-323
详细描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SOD323-2
型号:
BB639E7908
仓库库存编号:
BB639INCT-ND
别名:BB639INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 2.6A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4315
仓库库存编号:
IRFL4315-ND
别名:*IRFL4315
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.5W Surface Mount 6-FlipFet?
型号:
IRF6156
仓库库存编号:
IRF6156-ND
别名:*IRF6156
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15.5A(Tc) 50W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS115ANKSA1
仓库库存编号:
BTS115ANKSA1-ND
别名:BTS115A
BTS115AIN
BTS115AIN-ND
SP000011193
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 22A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BTS121ANKSA1
仓库库存编号:
BTS121ANKSA1-ND
别名:BTS121A
BTS121AIN
BTS121AIN-ND
SP000011200
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