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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811AVTR
  仓库库存编号：IRF7811AVTR-ND
  别名：SP001560030
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811WTR
  仓库库存编号：IRF7811WTR-ND
  别名：SP001572286
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TR
  仓库库存编号：IRFR3711TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TRL
  仓库库存编号：IRFR3711TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TRR
  仓库库存编号：IRFR3711TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5410TR
  仓库库存编号：IRFR5410TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5410TRL
  仓库库存编号：IRFR5410TRL-ND
  别名：SP001567628
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5410TRR
  仓库库存编号：IRFR5410TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 14A 49W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 14A 49W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC15UD-STRL
  仓库库存编号：IRG4BC15UD-STRL-ND
  别名：IRG4BC15UDSTRL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20UD-STRL
  仓库库存编号：IRG4BC20UD-STRL-ND
  别名：IRG4BC20UDSTRL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20UD-STRR
  仓库库存编号：IRG4BC20UD-STRR-ND
  别名：IRG4BC20UDSTRR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30FD-STRR
  仓库库存编号：IRG4BC30FD-STRR-ND
  别名：IRG4BC30FDSTRR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 22A 66W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 22A 66W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC20FTR
  仓库库存编号：IRG4RC20FTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 22A 66W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 22A 66W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC20FTRL
  仓库库存编号：IRG4RC20FTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 22A 66W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 22A 66W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC20FTRR
  仓库库存编号：IRG4RC20FTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRL
  仓库库存编号：IRLR8103VTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRR
  仓库库存编号：IRLR8103VTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7757TR
  仓库库存编号：IRF7757TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7534D1TR
  仓库库存编号：IRF7534D1CT-ND
  别名：*IRF7534D1TR
  IRF7534D1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5802TR
  仓库库存编号：IRF5802TRCT-ND
  别名：*IRF5802TR
  IRF5802CT
  IRF5802CT-ND
  IRF5802TRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7476
  仓库库存编号：IRF7476-ND
  别名：*IRF7476
  Q1332195
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 32A 200W TO220
  详细描述：IGBT 1200V 32A 200W Through Hole TO-220AB
  
  型号：BUP213
  仓库库存编号：BUP213IN-ND
  别名：BUP213IN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ30A
  仓库库存编号：BUZ30AIN-ND
  别名：BUZ30AIN
  BUZ30AX
  BUZ30AXK
  BUZ30AXTIN
  BUZ30AXTIN-ND
  SP000011336
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73
  仓库库存编号：BUZ73IN-ND
  别名：BUZ73IN
  BUZ73X
  BUZ73XK
  BUZ73XTIN
  BUZ73XTIN-ND
  SP000011372
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUZ80A
  仓库库存编号：BUZ80AIN-ND
  别名：BUZ80AIN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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