产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.6A(Tc) 1.5W(Tc) 8-TSSOP
型号:
IRF7700
仓库库存编号:
IRF7700-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.79W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7726TR
仓库库存编号:
IRF7726CT-ND
别名:*IRF7726TR
IRF7726CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.1A(Ta) 2.2W(Ta) 4-FlipFet?
型号:
IRF6100
仓库库存编号:
IRF6100CT-ND
别名:*IRF6100
IRF6100CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.9A 3W Surface Mount 16-FlipFet?
型号:
IRF6150
仓库库存编号:
IRF6150CT-ND
别名:*IRF6150
IRF6150CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706
仓库库存编号:
IRF7706-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7331
仓库库存编号:
IRF7331-ND
别名:*IRF7331
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 6.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7241
仓库库存编号:
IRF7241-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7469
仓库库存编号:
IRF7469-ND
别名:*IRF7469
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5806
仓库库存编号:
IRF5806-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5800
仓库库存编号:
IRF5800-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5410
仓库库存编号:
IRFU5410-ND
别名:*IRFU5410
SP001576322
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807A
仓库库存编号:
IRF7807A-ND
别名:*IRF7807A
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 3.4A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF5803D2
仓库库存编号:
IRF5803D2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Tc) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701
仓库库存编号:
IRF7701-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809AV
仓库库存编号:
IRF7809AV-ND
别名:*IRF7809AV
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7425
仓库库存编号:
IRF7425-ND
别名:*IRF7425
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 4.6A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7704
仓库库存编号:
IRF7704-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 66W DPAK
详细描述:IGBT 600V 22A 66W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC20F
仓库库存编号:
IRG4RC20F-ND
别名:*IRG4RC20F
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 14A 49W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC15UD
仓库库存编号:
IRG4BC15UD-ND
别名:*IRG4BC15UD
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 14A 49W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC15UD-S
仓库库存编号:
IRG4BC15UD-S-ND
别名:*IRG4BC15UD-S
IRG4BC15UDS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 11.5A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7420
仓库库存编号:
IRF7420-ND
别名:*IRF7420
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7450
仓库库存编号:
IRF7450-ND
别名:*IRF7450
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W TO262
详细描述:IGBT 600V 14A 49W Through Hole TO-262
型号:
IRG4BC15UD-L
仓库库存编号:
IRG4BC15UD-L-ND
别名:*IRG4BC15UD-L
IRG4BC15UDL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W TO262
详细描述:IGBT 600V 14A 38W Through Hole TO-262
型号:
IRG4BC10SD-L
仓库库存编号:
IRG4BC10SD-L-ND
别名:*IRG4BC10SD-L
IRG4BC10SDL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 8.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7433
仓库库存编号:
IRF7433-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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