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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10UD
  仓库库存编号：IRG4RC10UD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10UTRL
  仓库库存编号：IRG4RC10UTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10UTR
  仓库库存编号：IRG4RC10UTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10UTRR
  仓库库存编号：IRG4RC10UTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 61A（Tc） 89W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3102STRL
  仓库库存编号：IRL3102STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 61A（Tc） 89W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3102STRR
  仓库库存编号：IRL3102STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 3.1W（Ta），89W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103D1STRL
  仓库库存编号：IRL3103D1STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 48A（Tc） 69W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3202STRR
  仓库库存编号：IRL3202STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3302STRL
  仓库库存编号：IRL3302STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3302STRR
  仓库库存编号：IRL3302STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 85A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3402STRL
  仓库库存编号：IRL3402STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 85A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3402STRR
  仓库库存编号：IRL3402STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3502STRR
  仓库库存编号：IRL3502STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2703TR
  仓库库存编号：IRLL2703TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 89A（Ta） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103TR
  仓库库存编号：IRLR8103TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8503TRL
  仓库库存编号：IRLR8503TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8503TR
  仓库库存编号：IRLR8503TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8503TRR
  仓库库存编号：IRLR8503TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4420DYTR
  仓库库存编号：SI4420DYTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.3W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7521D1TR
  仓库库存编号：IRF7521D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1TR
  仓库库存编号：IRF7523D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1TR
  仓库库存编号：IRF7526D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7750TR
  仓库库存编号：IRF7750CT-ND
  别名：*IRF7750TR
  IRF7750CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
  
  型号：IRLMS2002TR
  仓库库存编号：IRLMS2002CT-ND
  别名：*IRLMS2002TR
  IRLMS2002CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 7.8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7325
  仓库库存编号：IRF7325-ND
  别名：*IRF7325
  Q1153815D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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